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Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Name: Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: Negoziabile USD
Availability: InStock

Marchio:	Hoan
Numero di modello:	HACC471S50V500
MOQ:	10 pezzi
Termini di pagamento:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Shaanxi, Cina

Certificazione:

ISO 9001:2015, RoHS

Fattore Q @ 1GHz:

>300

Dimensioni del chip:

0,50 × 0,50 × 0,15 millimetri

Metallizzazione superiore:

TiW (100 nm) + Au (2,5 µm/min)

Metallizzazione del retro:

TiW-Pt-Au, Au 1,0 µm min

Tipo di montaggio:

Fissaggio a filo/matrice eutettica

Temperatura operativa:

Da -55°C a +125°C

Personalizzazione:

10pF-1000pF, matrice rettangolare, elettrodo bordato, retro flottante

Evidenziare:

MOS capacitor 470 pF 50V

single layer chip RF amplifier

HACC471S50V500 microphonic suppression capacitor

Descrizione di prodotto

Microphonic Phase Modulation Control MOS Capacitor — HACC471S50V500 Definition: The HACC471S50V500 is a 470 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor built on a float-zone silicon substrate (>1000 Ω·cm) with a 300 nm thermally grown SiO2 dielectric. It is designed for RF power amplifier bias networks, DC blocking, and impedance matching where vibration-induced phase modulation and microphonic noise must be controlled. Quick answer — at a glance What it is: single-layer MOS

Etichette:

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