szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Kondensatory MOS
Created with Pixso.

Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HACC471S50V500
MOQ: 10 sztuk
Warunki płatności: L/C, D/A, D/P, T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Shaanxi, Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS
Współczynnik Q @ 1 GHz:
>300
Wymiary chipa:
0,50 × 0,50 × 0,15 mm
Najlepsza metalizacja:
TiW (100 nm) + Au (2,5 µm min)
Metalizacja z tyłu:
TiW-Pt-Au, Au 1,0µm min
Typ mocowania:
Mocowanie drutu / matrycy eutektycznej
Temperatura pracy:
-55°C do +125°C
Personalizacja:
10pF-1000pF, matryca prostokątna, elektroda obramowana, tył pływający
Podkreślić:

MOS capacitor 470 pF 50V

,

single layer chip RF amplifier

,

HACC471S50V500 microphonic suppression capacitor

Opis produktu
Microphonic Phase Modulation Control MOS Capacitor — HACC471S50V500 Definition: The HACC471S50V500 is a 470 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor built on a float-zone silicon substrate (>1000 Ω·cm) with a 300 nm thermally grown SiO2 dielectric. It is designed for RF power amplifier bias networks, DC blocking, and impedance matching where vibration-induced phase modulation and microphonic noise must be controlled. Quick answer — at a glance What it is: single-layer MOS