λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
MOS Capacitors
Created with Pixso.

Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Επωνυμία: Hoan
Αριθμός μοντέλου: HACC471S50V500
MOQ: 10 τεμάχια
Όροι πληρωμής: L/C,D/A,D/P,T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Shaanxi, Κίνα
Πιστοποίηση:
ISO 9001:2015, RoHS
Q Factor @ 1GHz:
>300
Διαστάσεις τσιπ:
0,50 × 0,50 × 0,15 χλστ
Κορυφαία Μεταλλοποίηση:
TiW (100nm) + Au (2,5µm min)
Μεταλλοποίηση πίσω πλευράς:
TiW-Pt-Au, Au 1,0μm min
Τύπος τοποθέτησης:
Συνδέσιμο με σύρμα / Ευτηκτική μήτρα
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-55°C έως +125°C
Προσαρμογή:
10pF-1000pF, ορθογώνια μήτρα, ηλεκτρόδιο με περίγραμμα, πλωτό πίσω μέρος
Επισημαίνω:

MOS capacitor 470 pF 50V

,

single layer chip RF amplifier

,

HACC471S50V500 microphonic suppression capacitor

Περιγραφή προϊόντων
Microphonic Phase Modulation Control MOS Capacitor — HACC471S50V500 Definition: The HACC471S50V500 is a 470 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor built on a float-zone silicon substrate (>1000 Ω·cm) with a 300 nm thermally grown SiO2 dielectric. It is designed for RF power amplifier bias networks, DC blocking, and impedance matching where vibration-induced phase modulation and microphonic noise must be controlled. Quick answer — at a glance What it is: single-layer MOS