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Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Name: Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: Négociable USD
Availability: InStock

Nom De La Marque:	Hoan
Numéro De Modèle:	HACC471S50V500
Quantité Minimale De Commande:	10 pièces
Conditions De Paiement:	LC, D/A, D/P, T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Shaanxi, Chine

Certification:

ISO 9001:2015, RoHS

Facteur Q à 1 GHz:

>300

Dimensions des puces:

0,50 × 0,50 × 0,15 mm

Métallisation supérieure:

TiW (100 nm) + Au (2,5 µm min)

Métallisation arrière:

TiW-Pt-Au, Au 1,0 µm min

Type de montage:

Fixation de matrice à liaison filaire/eutectique

Température de fonctionnement:

-55°C à +125°C

Personnalisation:

10pF-1000pF, matrice rectangulaire, électrode bordée, face arrière flottante

Mettre en évidence:

MOS capacitor 470 pF 50V

single layer chip RF amplifier

HACC471S50V500 microphonic suppression capacitor

Description de produit

Microphonic Phase Modulation Control MOS Capacitor — HACC471S50V500 Definition: The HACC471S50V500 is a 470 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor built on a float-zone silicon substrate (>1000 Ω·cm) with a 300 nm thermally grown SiO2 dielectric. It is designed for RF power amplifier bias networks, DC blocking, and impedance matching where vibration-induced phase modulation and microphonic noise must be controlled. Quick answer — at a glance What it is: single-layer MOS

Étiquettes:

Inducteur conique

Inducteurs à large bande

Inducteur de noyau d'air

Inducteur à bobine d'air

Condensateurs MOS