تفاصيل المنتجات

المنزل منتجات

Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Name: Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: قابل للتفاوض USD
Availability: InStock

اسم العلامة التجارية:	Hoan
رقم الموديل:	HACC471S50V500
موك:	10 قطع
شروط الدفع:	خطاب الاعتماد، D/A، D/P، T/T

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

شنشي، الصين

إصدار الشهادات:

ISO 9001:2015, RoHS

عامل Q @ 1 جيجا هرتز:

> 300

أبعاد الشريحة:

0.50 × 0.50 × 0.15 ملم

أعلى المعدنة:

TiW (100 نانومتر) + Au (2.5 ميكرومتر دقيقة)

تعدين المؤخر:

TiW-Pt-Au، Au 1.0 ميكرومتر دقيقة

نوع التركيب:

سلك قابل للربط / مرفق بالقالب سهل الانصهار

درجة حرارة التشغيل:

-55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية

التخصيص:

10pF-1000pF، قالب مستطيل، قطب كهربائي محاط، ظهر عائم

إبراز:

MOS capacitor 470 pF 50V

single layer chip RF amplifier

HACC471S50V500 microphonic suppression capacitor

وصف المنتج

Microphonic Phase Modulation Control MOS Capacitor — HACC471S50V500 Definition: The HACC471S50V500 is a 470 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor built on a float-zone silicon substrate (>1000 Ω·cm) with a 300 nm thermally grown SiO2 dielectric. It is designed for RF power amplifier bias networks, DC blocking, and impedance matching where vibration-induced phase modulation and microphonic noise must be controlled. Quick answer — at a glance What it is: single-layer MOS

العلامات:

محث مخروطي

محاثات النطاق العريض

مغو الهواء الأساسية

مغو لفائف الهواء

مكثفات MOS