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MOSキャパシタ

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

ブランド名:	Hoan
モデル番号:	HACC221S100V240
MOQ:	100個
支払い条件:	T/T、L/C、D/P、D/A

製品の説明

詳細情報

起源の場所:

陝西省、中国

証明:

ISO 9001:2015, RoHS

裏面メタライゼーション:

TiW-Pt-Au、最小 1.0 µm Au

取付タイプ:

AuSn共晶または導電性エポキシダイアタッチとワイヤボンディング

ダイシャー:

環境ストレス後 >2.5 kgf

動作温度:

-55℃～+125℃

湿度感度レベル:

MSL 1 (J-STD-020)

資格:

1000 時間 HTRB および HTOL、500 サイクル -65/+150°C、500 時間 85/85 偏湿

梱包オプション:

ワッフルパック、ジェルパック、8mmまたは12mmのテープとリール、カスタムトレイ

ハイライト:

MOS capacitors 220 pF 100V

,

high breakdown voltage MOS capacitors

,

single layer chip capacitors custom sizing

製品の説明

HACC221S100V240 - 220 pF 100 V Single-Layer MOS Capacitor with High Breakdown Voltage and Custom Die Sizing Quick Answer The HACC221S100V240 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor rated 220 pF ±5% at 100 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The standard die is 0.60 × 0.60 × 0.15 mm with a dielectric withstanding voltage above 250 V DC and leakage under 5 nA at 25 °C. Die outline, thickness, capacitance, metallisation and

札:

SLCキャパシタ

ワイヤボンディング可能キャパシタ

単層セラミックキャパシタ

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