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MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

ब्रांड का नाम:	Hoan
मॉडल नंबर:	HACC221S100V240
MOQ:	100 नग
भुगतान की शर्तें:	टी/टी, एल/सी, डी/पी, डी/ए

विस्तृत जानकारी

उत्पाद का वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

शानक्सी, चीन

प्रमाणन:

ISO 9001:2015, RoHS

पीछे की ओर धातुकरण:

TiW-Pt-Au, 1.0 µm Au मिनट

माउन्टिंग का प्रकार:

AuSn यूटेक्टिक या कंडक्टिव एपॉक्सी डाई अटैच, प्लस वायर बॉन्डिंग

मरो कतरनी:

>पर्यावरणीय तनाव के बाद 2.5 किग्रा

परिचालन तापमान:

-55°C से +125°C

नमी संवेदनशीलता स्तर:

एमएसएल 1 (जे-एसटीडी-020)

योग्यता:

1000 घंटे एचटीआरबी और एचटीओएल, 500 चक्र -65/+150 डिग्री सेल्सियस, 500 घंटे 85/85 पक्षपाती आर्द्रता

पैकेजिंग विकल्प:

वफ़ल पैक, जेल-पाक, 8 मिमी या 12 मिमी टेप और रील, कस्टम ट्रे

प्रमुखता देना:

MOS capacitors 220 pF 100V

,

high breakdown voltage MOS capacitors

,

single layer chip capacitors custom sizing

उत्पाद का वर्णन

HACC221S100V240 - 220 pF 100 V Single-Layer MOS Capacitor with High Breakdown Voltage and Custom Die Sizing Quick Answer The HACC221S100V240 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor rated 220 pF ±5% at 100 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The standard die is 0.60 × 0.60 × 0.15 mm with a dielectric withstanding voltage above 250 V DC and leakage under 5 nA at 25 °C. Die outline, thickness, capacitance, metallisation and

टैग:

एसएलसी कैपेसिटर

वायर बॉन्डेबल कैपेसिटर

सिंगल लेयर सिरेमिक कैपेसिटर

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