Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Конденсаторы MOS
Created with Pixso.

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

Название бренда: Hoan
Номер модели: ХАКС221С100В240
минимальный заказ: 100 штук
Условия оплаты: Т/Т,Л/К,Д/П,Д/А
Детальная информация
Место происхождения:
Шэньси, Китай
Сертификация:
ISO 9001:2015, RoHS
Задняя металлизация:
TiW-Pt-Au, 1,0 мкм Au мин.
Тип монтажа:
Прикрепление матрицы из эвтектической или проводящей эпоксидной смолы AuSn, а также проволочное соед
Die ножницы:
>2,5 кгс после экологического стресса
Рабочая температура:
от -55°С до +125°С
Уровень чувствительности к влаге:
МСЛ 1 (J-STD-020)
Квалификация:
1000 ч HTRB и HTOL, 500 циклов -65/+150°C, 500 ч при смещенной влажности 85/85
Варианты упаковки:
Вафельная упаковка, гель-пак, лента 8 мм или 12 мм и катушка, индивидуальные лотки.
Выделить:

MOS capacitors 220 pF 100V

,

high breakdown voltage MOS capacitors

,

single layer chip capacitors custom sizing

Характер продукции
HACC221S100V240 - 220 pF 100 V Single-Layer MOS Capacitor with High Breakdown Voltage and Custom Die Sizing Quick Answer The HACC221S100V240 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor rated 220 pF ±5% at 100 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The standard die is 0.60 × 0.60 × 0.15 mm with a dielectric withstanding voltage above 250 V DC and leakage under 5 nA at 25 °C. Die outline, thickness, capacitance, metallisation and