szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Kondensatory MOS
Created with Pixso.

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HACC221S100V240
MOQ: 100 sztuk
Warunki płatności: T/T, L/C, D/P, D/A
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Shaanxi, Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS
Metalizacja z tyłu:
TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au min
Typ mocowania:
Mocowanie eutektyczne lub przewodzące z żywicy epoksydowej AuSn oraz łączenie drutowe
Die Shear:
>2,5 kgf po stresie środowiskowym
Temperatura pracy:
-55°C do +125°C
Poziom czułości na wilgoć:
MSL 1 (J-STD-020)
Kwalifikacja:
1000 h HTRB i HTOL, 500 cykli -65/+150°C, 500 h 85/85 średnia wilgotność
Opcje pakowania:
Opakowanie waflowe, opakowanie żelowe, taśma i szpula 8 mm lub 12 mm, niestandardowe tacki
Podkreślić:

MOS capacitors 220 pF 100V

,

high breakdown voltage MOS capacitors

,

single layer chip capacitors custom sizing

Opis produktu
HACC221S100V240 - 220 pF 100 V Single-Layer MOS Capacitor with High Breakdown Voltage and Custom Die Sizing Quick Answer The HACC221S100V240 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor rated 220 pF ±5% at 100 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The standard die is 0.60 × 0.60 × 0.15 mm with a dielectric withstanding voltage above 250 V DC and leakage under 5 nA at 25 °C. Die outline, thickness, capacitance, metallisation and