Détails des produits

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Condensateurs MOS
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MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

Nom De La Marque: Hoan
Numéro De Modèle: HACC221S100V240
Quantité Minimale De Commande: 100 pièces
Conditions De Paiement: T/T, L/C, D/P, D/A
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Shaanxi, Chine
Certification:
ISO 9001:2015, RoHS
Métallisation arrière:
TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au min
Type de montage:
Fixation de matrice eutectique ou époxy conductrice AuSn, plus liaison filaire
Cisaille à matrice:
>2,5 kgf après un stress environnemental
Température de fonctionnement:
-55°C à +125°C
Niveau de sensibilité à l'humidité:
MSL1 (J-STD-020)
Qualification:
1000 h HTRB et HTOL, 500 cycles -65/+150°C, 500 h humidité biaisée 85/85
Options d'emballage:
Pack de gaufres, gel-pak, ruban et bobine de 8 mm ou 12 mm, plateaux personnalisés
Mettre en évidence:

MOS capacitors 220 pF 100V

,

high breakdown voltage MOS capacitors

,

single layer chip capacitors custom sizing

Description de produit
HACC221S100V240 - 220 pF 100 V Single-Layer MOS Capacitor with High Breakdown Voltage and Custom Die Sizing Quick Answer The HACC221S100V240 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor rated 220 pF ±5% at 100 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The standard die is 0.60 × 0.60 × 0.15 mm with a dielectric withstanding voltage above 250 V DC and leakage under 5 nA at 25 °C. Die outline, thickness, capacitance, metallisation and