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MOS Kondensatoren

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HACC221S100V240
Mindestbestellmenge:	100 Stück
Zahlungsbedingungen:	T/T,L/C,D/P,D/A

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015, RoHS

Rückseitenmetallisierung:

TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au min

Montageart:

AuSn-Eutektikum oder leitendes Epoxid-Die-Attach sowie Drahtbonden

Die Schere:

>2,5 kgf nach Umweltstress

Betriebstemperatur:

-55°C bis +125°C

Feuchtigkeitsempfindlichkeit:

MSL 1 (J-STD-020)

Qualifikation:

1000 h HTRB und HTOL, 500 Zyklen -65/+150 °C, 500 h 85/85 Luftfeuchtigkeit

Verpackungsoptionen:

Waffelpackung, Gel-Pak, 8-mm- oder 12-mm-Band und -Rolle, individuelle Tabletts

Hervorheben:

MOS capacitors 220 pF 100V

,

high breakdown voltage MOS capacitors

,

single layer chip capacitors custom sizing

Produkt-Beschreibung

HACC221S100V240 - 220 pF 100 V Single-Layer MOS Capacitor with High Breakdown Voltage and Custom Die Sizing Quick Answer The HACC221S100V240 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor rated 220 pF ±5% at 100 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The standard die is 0.60 × 0.60 × 0.15 mm with a dielectric withstanding voltage above 250 V DC and leakage under 5 nA at 25 °C. Die outline, thickness, capacitance, metallisation and

Umbauten:

SLC Kondensator

Wirkstoffverbindungskondensator

Einlager-Keramikkondensator

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