λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
MOS Capacitors
Created with Pixso.

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

Επωνυμία: Hoan
Αριθμός μοντέλου: HACC221S100V240
MOQ: 100 τεμάχια
Όροι πληρωμής: T/T,L/C,D/P,D/A
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Shaanxi, Κίνα
Πιστοποίηση:
ISO 9001:2015, RoHS
Μεταλλοποίηση πίσω πλευράς:
TiW-Pt-Au, 1,0 μm Au min
Τύπος τοποθέτησης:
Συνδέεται ευτηκτική ή αγώγιμη εποξειδική μήτρα AuSn, καθώς και συγκόλληση σύρματος
Die Shear:
>2,5 kgf μετά από περιβαλλοντική καταπόνηση
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-55°C έως +125°C
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία:
MSL 1 (J-STD-020)
Προσόν:
1000 ώρες HTRB και HTOL, 500 κύκλοι -65/+150°C, 500 ώρες 85/85 προκατειλημμένη υγρασία
Επιλογές συσκευασίας:
Συσκευασία βάφλας, gel-pak, ταινία και καρούλι 8mm ή 12mm, προσαρμοσμένοι δίσκοι
Επισημαίνω:

MOS capacitors 220 pF 100V

,

high breakdown voltage MOS capacitors

,

single layer chip capacitors custom sizing

Περιγραφή προϊόντων
HACC221S100V240 - 220 pF 100 V Single-Layer MOS Capacitor with High Breakdown Voltage and Custom Die Sizing Quick Answer The HACC221S100V240 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor rated 220 pF ±5% at 100 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The standard die is 0.60 × 0.60 × 0.15 mm with a dielectric withstanding voltage above 250 V DC and leakage under 5 nA at 25 °C. Die outline, thickness, capacitance, metallisation and