dettagli dei prodotti

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Condensatori MOS
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MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

Marchio: Hoan
Numero di modello: HACC221S100V240
MOQ: 100 pezzi
Termini di pagamento: T/T,L/C,D/P,D/A
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Shaanxi, Cina
Certificazione:
ISO 9001:2015, RoHS
Metallizzazione del retro:
TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au min
Tipo di montaggio:
Attacco della matrice epossidica o eutettica o conduttiva AuSn, più collegamento del filo
Muore il taglio:
>2,5 kgf dopo stress ambientale
Temperatura operativa:
Da -55°C a +125°C
Livello di sensibilità all'umidità:
MSL1 (J-STD-020)
Qualificazione:
1000 h HTRB e HTOL, 500 cicli -65/+150°C, 500 h 85/85 umidità parziale
Opzioni di imballaggio:
Confezione di waffle, gel-pak, nastro e bobina da 8 mm o 12 mm, vassoi personalizzati
Evidenziare:

MOS capacitors 220 pF 100V

,

high breakdown voltage MOS capacitors

,

single layer chip capacitors custom sizing

Descrizione di prodotto
HACC221S100V240 - 220 pF 100 V Single-Layer MOS Capacitor with High Breakdown Voltage and Custom Die Sizing Quick Answer The HACC221S100V240 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor rated 220 pF ±5% at 100 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The standard die is 0.60 × 0.60 × 0.15 mm with a dielectric withstanding voltage above 250 V DC and leakage under 5 nA at 25 °C. Die outline, thickness, capacitance, metallisation and