تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. منتجات Created with Pixso.
مكثفات MOS
Created with Pixso.

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

MOS Capacitors 220 pF 100V High Breakdown Voltage Oxide Integrity Single Layer Chip with Custom Sizing

اسم العلامة التجارية: Hoan
رقم الموديل: HACC221S100V240
موك: 100 قطعة
شروط الدفع: تي / تي، خطاب الاعتماد، د / ف، د / أ
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
شنشي، الصين
إصدار الشهادات:
ISO 9001:2015, RoHS
تعدين المؤخر:
TiW-Pt-Au، 1.0 ميكرومتر Au دقيقة
نوع التركيب:
يتم إرفاق قالب AuSn سهل الانصهار أو الإيبوكسي الموصل، بالإضافة إلى ربط الأسلاك
يموت القص:
> 2.5 كجم بعد الإجهاد البيئي
درجة حرارة التشغيل:
-55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية
مستوى حساسية الرطوبة:
إم إس إل 1 (J-STD-020)
مؤهل:
1000 ساعة HTRB وHTOL، 500 دورة -65/+150 درجة مئوية، 500 ساعة 85/85 رطوبة متحيزة
خيارات التغليف:
عبوة الوافل، عبوة جل، شريط وبكرة 8 مم أو 12 مم، صواني مخصصة
إبراز:

MOS capacitors 220 pF 100V

,

high breakdown voltage MOS capacitors

,

single layer chip capacitors custom sizing

وصف المنتج
HACC221S100V240 - 220 pF 100 V Single-Layer MOS Capacitor with High Breakdown Voltage and Custom Die Sizing Quick Answer The HACC221S100V240 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor rated 220 pF ±5% at 100 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The standard die is 0.60 × 0.60 × 0.15 mm with a dielectric withstanding voltage above 250 V DC and leakage under 5 nA at 25 °C. Die outline, thickness, capacitance, metallisation and