Capacitância 10 pF-1000 pF, geometria da matriz com proporção de aspecto 4:1, metalização e acabamen
Embalagem:
Pacote de waffle condutor seguro contra ESD ou gel-pak, caixa de exportação de pacote seco de nitrog
Certificação:
ISO 9001:2015, RoHS, REACH
Destacar:
Ultra-High Q Factor MOS Capacitor
,
100pF 30V MOS Capacitor
,
Low ESR RF Chip Capacitor
Descrição do produto
Ultra-High Q Factor 100 pF 30 V MOS Capacitor (HACC101S30V300) — Low ESR Miniature Single Layer RF Chip Summary: The Hoan HACC101S30V300 is a 100 pF ±10% single-layer MOS capacitor rated at 30 V DC, delivering an ultra-high Q factor (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz) and ultra-low ESR ( 2000 at 1 MHz and Q > 300 at 1 GHz. The float-zone substrate (>1000 Ω·cm) minimises eddy-current loss, so network insertion loss is negligible and the matching inductor, not the capacitor,