detalhes dos produtos

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Capacitores MOS
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Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip

Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip

Marca: Hoan
Número do modelo: HACC101S30V300
Quantidade mínima: 10 peças
Condições de pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
Shanxi, China
Certificação:
ISO 9001:2015, RoHS, REACH
Metalização Superior:
TiW-Au, >=2,5 um Au
Temperatura operacional:
-55ºC a +125ºC
Tipo de montagem:
Fixação de matriz eutética/fio ligável
Classe ESD:
Classe 0 (HBM) por JESD22-A114
Sensibilidade de umidade:
MSL 1 por J-STD-020
Personalização:
Capacitância 10 pF-1000 pF, geometria da matriz com proporção de aspecto 4:1, metalização e acabamen
Embalagem:
Pacote de waffle condutor seguro contra ESD ou gel-pak, caixa de exportação de pacote seco de nitrog
Certificação:
ISO 9001:2015, RoHS, REACH
Destacar:

Ultra-High Q Factor MOS Capacitor

,

100pF 30V MOS Capacitor

,

Low ESR RF Chip Capacitor

Descrição do produto
Ultra-High Q Factor 100 pF 30 V MOS Capacitor (HACC101S30V300) — Low ESR Miniature Single Layer RF Chip Summary: The Hoan HACC101S30V300 is a 100 pF ±10% single-layer MOS capacitor rated at 30 V DC, delivering an ultra-high Q factor (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz) and ultra-low ESR ( 2000 at 1 MHz and Q > 300 at 1 GHz. The float-zone substrate (>1000 Ω·cm) minimises eddy-current loss, so network insertion loss is negligible and the matching inductor, not the capacitor,