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Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip

Name: Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC101S30V300
Price: Verhandelbar USD
Availability: InStock

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HACC101S30V300
Mindestbestellmenge:	10 Stück
Zahlungsbedingungen:	L/C, D/A, D/P, T/T

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015, RoHS, REACH

Top-Metallisierung:

TiW-Au, >=2,5 um Au

Betriebstemperatur:

-55 °C bis +125 °C

Montageart:

Drahtbondbare/eutektische Die-Befestigung

ESD-Klasse:

Klasse 0 (HBM) gemäß JESD22-A114

Feuchtigkeits-Empfindlichkeit:

MSL 1 gemäß J-STD-020

Anpassung:

Kapazität 10 pF-1000 pF, Chip-Geometrie mit einem Seitenverhältnis von 4:1, Metallisierung und Rücks

Verpackung:

ESD-sichere leitfähige Waffelpackung oder Gel-Pak, Exportkarton mit Stickstoff-Trockenpackung

Zertifizierung:

ISO 9001:2015, RoHS, REACH

Hervorheben:

Ultra-High Q Factor MOS Capacitor

100pF 30V MOS Capacitor

Low ESR RF Chip Capacitor

Produkt-Beschreibung

Ultra-High Q Factor 100 pF 30 V MOS Capacitor (HACC101S30V300) — Low ESR Miniature Single Layer RF Chip Summary: The Hoan HACC101S30V300 is a 100 pF ±10% single-layer MOS capacitor rated at 30 V DC, delivering an ultra-high Q factor (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz) and ultra-low ESR ( 2000 at 1 MHz and Q > 300 at 1 GHz. The float-zone substrate (>1000 Ω·cm) minimises eddy-current loss, so network insertion loss is negligible and the matching inductor, not the capacitor,

Umbauten:

Konischer Induktor

Breitband-Induktoren

Luft-Kern-Induktor

Luftspulen-Induktor

MOS Kondensatoren