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Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip

Name: Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC101S30V300
Price: 交渉可能 USD
Availability: InStock

ブランド名:	Hoan
モデル番号:	HACC101S30V300
MOQ:	10個
支払い条件:	L/C、D/A、D/P、T/T

詳細情報

製品の説明

詳細情報

起源の場所:

陝西省、中国

証明:

ISO 9001:2015, RoHS, REACH

上部のメタライゼーション:

TiW-Au、>=2.5 um Au

動作温度:

-55℃～+125℃

取付タイプ:

ワイヤーボンディング可能/共晶ダイアタッチ可能

ESDクラス:

クラス 0 (HBM) JESD22-A114 に準拠

湿気感受性:

J-STD-020 による MSL 1

カスタマイズ:

静電容量 10 pF ～ 1000 pF、アスペクト比 4:1 のダイ形状、メタライゼーションおよび裏面仕上げが利用可能

包装:

ESD 対応の導電性ワッフルパックまたはゲルパック、窒素ドライパック輸出用カートン

証明:

ISO 9001:2015, RoHS, REACH

ハイライト:

Ultra-High Q Factor MOS Capacitor

100pF 30V MOS Capacitor

Low ESR RF Chip Capacitor

製品の説明

Ultra-High Q Factor 100 pF 30 V MOS Capacitor (HACC101S30V300) — Low ESR Miniature Single Layer RF Chip Summary: The Hoan HACC101S30V300 is a 100 pF ±10% single-layer MOS capacitor rated at 30 V DC, delivering an ultra-high Q factor (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz) and ultra-low ESR ( 2000 at 1 MHz and Q > 300 at 1 GHz. The float-zone substrate (>1000 Ω·cm) minimises eddy-current loss, so network insertion loss is negligible and the matching inductor, not the capacitor,

札:

コニカルインダクタ

広帯域インダクタ

空気中心誘導器

エアコイルインダクタ

MOSキャパシタ