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Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip

Name: Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC101S30V300
Price: Négociable USD
Availability: InStock

Nom De La Marque:	Hoan
Numéro De Modèle:	HACC101S30V300
Quantité Minimale De Commande:	10 pièces
Conditions De Paiement:	LC, D/A, D/P, T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Shaanxi, Chine

Certification:

ISO 9001:2015, RoHS, REACH

Métallisation supérieure:

TiW-Au, >=2,5 um Au

Température de fonctionnement:

-55°C à +125°C

Type de montage:

Fixation de matrice à liaison filaire/eutectique

Classe ESD:

Classe 0 (HBM) selon JESD22-A114

Sensibilité d'humidité:

MSL 1 selon J-STD-020

Personnalisation:

Capacité 10 pF-1000 pF, géométrie de la puce au rapport d'aspect 4:1, métallisation et finition

Conditionnement:

Pack de gaufres conductrices ESD ou gel-pak, carton d'exportation d'emballage sec à l'az

Certification:

ISO 9001:2015, RoHS, REACH

Mettre en évidence:

Ultra-High Q Factor MOS Capacitor

100pF 30V MOS Capacitor

Low ESR RF Chip Capacitor

Description de produit

Ultra-High Q Factor 100 pF 30 V MOS Capacitor (HACC101S30V300) — Low ESR Miniature Single Layer RF Chip Summary: The Hoan HACC101S30V300 is a 100 pF ±10% single-layer MOS capacitor rated at 30 V DC, delivering an ultra-high Q factor (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz) and ultra-low ESR ( 2000 at 1 MHz and Q > 300 at 1 GHz. The float-zone substrate (>1000 Ω·cm) minimises eddy-current loss, so network insertion loss is negligible and the matching inductor, not the capacitor,

Étiquettes:

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