পণ্যের বিবরণ

বাড়ি পণ্য

Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip

Name: Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC101S30V300
Price: আলোচনা সাপেক্ষ USD
Availability: InStock

ব্র্যান্ডের নাম:	Hoan
মডেল নম্বর:	HACC101S30V300
MOQ:	10 টুকরা
পেমেন্ট শর্তাবলী:	এল/সি, ডি/এ, ডি/পি, টি/টি

বিস্তারিত তথ্য

পণ্যের বর্ণনা

বিস্তারিত তথ্য

উৎপত্তি স্থল:

শানসি, চীন

সাক্ষ্যদান:

ISO 9001:2015, RoHS, REACH

শীর্ষ ধাতবকরণ:

TiW-Au, >=2.5 um Au

অপারেটিং তাপমাত্রা:

-55 C থেকে +125 C

মাউন্ট টাইপ:

ওয়্যার বন্ডেবল/ইউটেকটিক ডাই অ্যাটাচ

ইএসডি ক্লাস:

JESD22-A114 প্রতি ক্লাস 0 (HBM)

আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা:

J-STD-020 প্রতি MSL 1

কাস্টমাইজেশন:

ক্যাপাসিট্যান্স 10 pF-1000 pF, ডাই জ্যামিতি থেকে 4:1 অনুপাত, মেটালাইজেশন এবং ব্যাকসাইড ফিনিশ উপলব্ধ

প্যাকেজিং:

ESD-নিরাপদ পরিবাহী ওয়াফল প্যাক বা জেল-প্যাক, নাইট্রোজেন ড্রাই-প্যাক এক্সপোর্ট শক্ত কাগজ

সাক্ষ্যদান:

ISO 9001:2015, RoHS, REACH

বিশেষভাবে তুলে ধরা:

Ultra-High Q Factor MOS Capacitor

100pF 30V MOS Capacitor

Low ESR RF Chip Capacitor

পণ্যের বর্ণনা

Ultra-High Q Factor 100 pF 30 V MOS Capacitor (HACC101S30V300) — Low ESR Miniature Single Layer RF Chip Summary: The Hoan HACC101S30V300 is a 100 pF ±10% single-layer MOS capacitor rated at 30 V DC, delivering an ultra-high Q factor (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz) and ultra-low ESR ( 2000 at 1 MHz and Q > 300 at 1 GHz. The float-zone substrate (>1000 Ω·cm) minimises eddy-current loss, so network insertion loss is negligible and the matching inductor, not the capacitor,

ট্যাগ:

কনিক্যাল ইনডাক্টর

ব্রডব্যান্ড ইন্ডাক্টর

এয়ার কোর ইন্ডাক্টর

বায়ু কুণ্ডলী প্রবর্তক

MOS ক্যাপাসিটর