szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Kondensatory MOS
Created with Pixso.

Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip

Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HACC101S30V300
MOQ: 10 sztuk
Warunki płatności: L/C, D/A, D/P, T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Shaanxi, Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS, REACH
Najlepsza metalizacja:
TiW-Au, >=2,5 um Au
Temperatura pracy:
-55°C do +125°C
Typ mocowania:
Mocowanie drutu / matrycy eutektycznej
Klasa ESD:
Klasa 0 (HBM) zgodnie z JESD22-A114
Wrażliwość na wilgoć:
MSL 1 według J-STD-020
Personalizacja:
Pojemność 10 pF-1000 pF, geometria matrycy do współczynnika proporcji 4:1, dostępna metalizacja i wy
Opakowanie:
Bezpieczne dla ESD przewodzące opakowanie waflowe lub opakowanie żelowe, karton eksportowy suchy z a
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS, REACH
Podkreślić:

Ultra-High Q Factor MOS Capacitor

,

100pF 30V MOS Capacitor

,

Low ESR RF Chip Capacitor

Opis produktu
Ultra-High Q Factor 100 pF 30 V MOS Capacitor (HACC101S30V300) — Low ESR Miniature Single Layer RF Chip Summary: The Hoan HACC101S30V300 is a 100 pF ±10% single-layer MOS capacitor rated at 30 V DC, delivering an ultra-high Q factor (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz) and ultra-low ESR ( 2000 at 1 MHz and Q > 300 at 1 GHz. The float-zone substrate (>1000 Ω·cm) minimises eddy-current loss, so network insertion loss is negligible and the matching inductor, not the capacitor,