Pojemność 10 pF-1000 pF, geometria matrycy do współczynnika proporcji 4:1, dostępna metalizacja i wy
Opakowanie:
Bezpieczne dla ESD przewodzące opakowanie waflowe lub opakowanie żelowe, karton eksportowy suchy z a
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS, REACH
Podkreślić:
Ultra-High Q Factor MOS Capacitor
,
100pF 30V MOS Capacitor
,
Low ESR RF Chip Capacitor
Opis produktu
Ultra-High Q Factor 100 pF 30 V MOS Capacitor (HACC101S30V300) — Low ESR Miniature Single Layer RF Chip Summary: The Hoan HACC101S30V300 is a 100 pF ±10% single-layer MOS capacitor rated at 30 V DC, delivering an ultra-high Q factor (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz) and ultra-low ESR ( 2000 at 1 MHz and Q > 300 at 1 GHz. The float-zone substrate (>1000 Ω·cm) minimises eddy-current loss, so network insertion loss is negligible and the matching inductor, not the capacitor,