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Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip

Name: Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC101S30V300
Price: Negoziabile USD
Availability: InStock

Marchio:	Hoan
Numero di modello:	HACC101S30V300
MOQ:	10 pezzi
Termini di pagamento:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Shaanxi, Cina

Certificazione:

ISO 9001:2015, RoHS, REACH

Metallizzazione superiore:

TiW-Au, >=2,5 um Au

Temperatura operativa:

da -55 C a +125 C

Tipo di montaggio:

Fissaggio a filo/matrice eutettica

Classe ESD:

Classe 0 (HBM) secondo JESD22-A114

Sensibilità di umidità:

MSL 1 secondo J-STD-020

Personalizzazione:

Capacità 10 pF-1000 pF, geometria del die con rapporto d'aspetto 4:1, metallizzazione e finitura

Confezione:

Confezione di waffle conduttivi antistatici o gel-pak, cartone per esportazione con confezione secca

Certificazione:

ISO 9001:2015, RoHS, REACH

Evidenziare:

Ultra-High Q Factor MOS Capacitor

100pF 30V MOS Capacitor

Low ESR RF Chip Capacitor

Descrizione di prodotto

Ultra-High Q Factor 100 pF 30 V MOS Capacitor (HACC101S30V300) — Low ESR Miniature Single Layer RF Chip Summary: The Hoan HACC101S30V300 is a 100 pF ±10% single-layer MOS capacitor rated at 30 V DC, delivering an ultra-high Q factor (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz) and ultra-low ESR ( 2000 at 1 MHz and Q > 300 at 1 GHz. The float-zone substrate (>1000 Ω·cm) minimises eddy-current loss, so network insertion loss is negligible and the matching inductor, not the capacitor,

Etichette:

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