λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
MOS Capacitors
Created with Pixso.

Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip

Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip

Επωνυμία: Hoan
Αριθμός μοντέλου: HACC101S30V300
MOQ: 10 τεμάχια
Όροι πληρωμής: L/C,D/A,D/P,T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Shaanxi, Κίνα
Πιστοποίηση:
ISO 9001:2015, RoHS, REACH
Κορυφαία Μεταλλοποίηση:
TiW-Au, >=2,5 um Au
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-55 C έως +125 C
Τύπος τοποθέτησης:
Συνδέσιμο με σύρμα / Ευτηκτική μήτρα
Κατηγορία ESD:
Κατηγορία 0 (HBM) ανά JESD22-A114
Ευαισθησία υγρασίας:
MSL 1 ανά J-STD-020
Προσαρμογή:
Χωρητικότητα 10 pF-1000 pF, γεωμετρία μήτρας σε αναλογία διαστάσεων 4:1, επιμετάλλωση και φινίρισμα
Συσκευασία:
Ασφαλής για ESD αγώγιμη συσκευασία βάφλας ή τζελ-πακ, χαρτοκιβώτιο εξαγωγής ξηρής συσκευασίας αζώτου
Πιστοποίηση:
ISO 9001:2015, RoHS, REACH
Επισημαίνω:

Ultra-High Q Factor MOS Capacitor

,

100pF 30V MOS Capacitor

,

Low ESR RF Chip Capacitor

Περιγραφή προϊόντων
Ultra-High Q Factor 100 pF 30 V MOS Capacitor (HACC101S30V300) — Low ESR Miniature Single Layer RF Chip Summary: The Hoan HACC101S30V300 is a 100 pF ±10% single-layer MOS capacitor rated at 30 V DC, delivering an ultra-high Q factor (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz) and ultra-low ESR ( 2000 at 1 MHz and Q > 300 at 1 GHz. The float-zone substrate (>1000 Ω·cm) minimises eddy-current loss, so network insertion loss is negligible and the matching inductor, not the capacitor,