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Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip

Name: Ultra-High Q Factor 100pF 30V MOS Capacitor Low ESR Miniature Single Layer RF Chip
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC101S30V300
Price: बातचीत योग्य USD
Availability: InStock

ब्रांड का नाम:	Hoan
मॉडल नंबर:	HACC101S30V300
MOQ:	10 टुकड़े
भुगतान की शर्तें:	एल/सी,डी/ए,डी/पी,टी/टी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद का वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

शानक्सी, चीन

प्रमाणन:

ISO 9001:2015, RoHS, REACH

शीर्ष धातुकरण:

TiW-Au, >=2.5 um Au

परिचालन तापमान:

-55 C से +125 C

माउन्टिंग का प्रकार:

वायर बॉन्डेबल / यूटेक्टिक डाई अटैच

ईएसडी क्लास:

कक्षा 0 (एचबीएम) प्रति जेईएसडी22-ए114

नमी संवेदनशीलता:

एमएसएल 1 प्रति जे-एसटीडी-020

अनुकूलन:

कैपेसिटेंस 10 पीएफ-1000 पीएफ, डाई ज्योमेट्री 4:1 पहलू अनुपात, मेटलाइज़ेशन और बैकसाइड फ़िनिश उपलब्ध ह

पैकेजिंग:

ईएसडी-सुरक्षित प्रवाहकीय वफ़ल पैक या जेल-पैक, नाइट्रोजन ड्राई-पैक निर्यात कार्टन

प्रमाणन:

ISO 9001:2015, RoHS, REACH

प्रमुखता देना:

Ultra-High Q Factor MOS Capacitor

100pF 30V MOS Capacitor

Low ESR RF Chip Capacitor

उत्पाद का वर्णन

Ultra-High Q Factor 100 pF 30 V MOS Capacitor (HACC101S30V300) — Low ESR Miniature Single Layer RF Chip Summary: The Hoan HACC101S30V300 is a 100 pF ±10% single-layer MOS capacitor rated at 30 V DC, delivering an ultra-high Q factor (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz) and ultra-low ESR ( 2000 at 1 MHz and Q > 300 at 1 GHz. The float-zone substrate (>1000 Ω·cm) minimises eddy-current loss, so network insertion loss is negligible and the matching inductor, not the capacitor,

टैग:

शंक्वाकार प्रेरक

ब्रॉडबैंड इंडक्टर्स

एयर कोर प्रारंभ करनेवाला

वायु कुंडल प्रारंभ करनेवाला

एमओएस कैपेसिटर