Condensador MOS de baja capacitancia cuántica 100pF 200V Campo de ruptura dieléctrica ultraalto Chip de capa única para HV RF

Condensador MOS de baja capacitancia cuántica HACC101S200V801 de capa única para unión por cable de RF de 100 pF y 200 V

Definición del producto: El HACC101S200V801 es un condensador de semiconductor de óxido metálico (MOS) de capa única construido sobre un sustrato de silicio de zona flotante de alta resistividad con un dieléctrico denso de dióxido de silicio (SiO₂) crecido térmicamente. Ofrece 100 pF (±10%) a una tensión de trabajo de CC de 200 V en un chip de 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm apto para unión por cable. La misma familia de dispositivos también se describe como un chip condensador de capa única (SLC), un chip condensador de RF, un condensador apto para unión por cable o un condensador de chip MOS.

Sus dos características definitorias son un efecto de baja capacitancia cuántica y un campo de ruptura dieléctrica ultra alto (>10 MV/cm). Juntos, admiten una respuesta C-V plana y ultra lineal y una alta clasificación de 200 V en un dado compacto.

Características principales

Efecto de baja capacitancia cuántica

En cualquier estructura MOS, la capacitancia medida es una combinación en serie de la capacitancia de óxido (Cox) y la capacitancia del semiconductor, que incluye la capacitancia cuántica (Cq) asociada con la densidad finita de estados en la superficie del silicio. Cuando Cq es comparable a Cox, la capacitancia total depende del sesgo y la frecuencia y cae por debajo del valor de óxido esperado. El HACC101S200V801 está diseñado con un electrodo de silicio de zona flotante fuertemente dopado y una interfaz optimizada para que Cq sea más de 10 veces mayor que Cox. Por lo tanto, el efecto de capacitancia cuántica es insignificante y el dispositivo se comporta como un condensador de óxido casi ideal: el valor medido es igual a la capacitancia geométrica de óxido, plana en todo el rango de sesgo y estable con la frecuencia.

Campo de ruptura dieléctrica ultra alto (>10 MV/cm)

El dieléctrico es un SiO térmico de alta calidad₂ con baja densidad de defectos y un campo de ruptura intrínseco que excede 10 MV/cm. Esta robustez dieléctrica admite una clasificación continua de 200 V CC y una tensión de ruptura dieléctrica superior a 500 V CC (250% de la nominal) en un chip compacto de 20 mil apto para unión por cable, lo que proporciona un margen generoso para cadenas de señales de RF de alto voltaje, inyección de sesgo y eventos transitorios. La tensión de ruptura dieléctrica se verifica en el 100% de las unidades de producción.

Rendimiento estable de baja pérdida

El coeficiente de temperatura de capacitancia es de aproximadamente +35 ppm/°C, casi lineal de -55°C a +125°C, con un bajo coeficiente de sesgo de CC (<10 ppmV). Q exceeds 2000 a 1 MHz, ESL es inferior a 0,05 nH, y la corriente de fuga se mantiene por debajo de 10 nA a 200 V, lo que hace que el dispositivo sea adecuado para bypass de RF de precisión, bloqueo de CC y redes de adaptación.