Capacitador MOS de baixa capacidade quântica 100pF 200V Campo de ruptura dieléctrica ultra-alta Chip de camada única para HV RF

HACC101S200V801 Baixa capacitância quântica MOS Capacitor 100pF 200V Chip RF bondável de fio de camada única

Definição do produto:O HACC101S200V801 é um capacitor semicondutor de óxido metálico (MOS) de camada única construído em um substrato de silício de zona flutuante de alta resistividade com um dióxido de silício denso e termicamente crescido (SiO₂) dielétrico. Ele fornece 100 pF (± 10%) a uma tensão de trabalho de 200 V CC em um chip de ligação por fio de 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm. A mesma família de dispositivos também é descrita como um chip de capacitor de camada única (SLC), um capacitor de chip de RF, um capacitor de ligação por fio ou um capacitor de chip MOS.

Suas duas características definidoras são umaefeito de baixa capacitância quânticae umcampo de ruptura dielétrica ultra-alto (>10 MV/cm). Juntos, eles suportam uma resposta CV plana e ultralinear e uma alta classificação de 200 V em uma matriz compacta.

Principais recursos

Efeito de baixa capacitância quântica

Em qualquer estrutura MOS, a capacitância medida é uma combinação em série da capacitância de óxido (Cox) e da capacitância semicondutora, que inclui a capacitância quântica (Cq) associada à densidade finita de estados na superfície do silício. Quando Cq é comparável a Cox, a capacitância total torna-se dependente da polarização e da frequência e cai abaixo do valor de óxido esperado. O HACC101S200V801 foi projetado com um eletrodo de silício de zona flutuante fortemente dopado e uma interface otimizada para queCq permanece mais de 10× maior que Cox. O efeito da capacitância quântica é, portanto, insignificante e o dispositivo se comporta como um capacitor de óxido quase ideal: o valor medido é igual à capacitância geométrica do óxido, plana em toda a faixa de polarização e estável com a frequência.

Campo de ruptura dielétrica ultra-alta (>10 MV/cm)

O dielétrico é um SiO térmico de alta qualidade₂com baixa densidade de defeitos e um campo de ruptura intrínseco superior10 MV/cm. Esta robustez dielétrica suporta um contínuo200 V CCclassificação e uma tensão resistente dielétrica acima500 V CC (250% da classificação)em um chip compacto de 20 mil que pode ser conectado por fio, proporcionando espaço generoso para cadeias de sinal de RF de alta tensão, injeção de polarização e eventos transitórios. A tensão suportável dielétrica é verificada em 100% das unidades de produção.

Desempenho estável de baixa perda

O coeficiente de temperatura da capacitância é aproximadamente+35 ppm/°C, quase linear de -55°C a +125°C, com um baixo coeficiente de polarização DC (<10 ppm/V). Q excede2000 em 1 MHz, ESL está abaixo0,05nH, e a corrente de fuga permanece abaixo10 nA a 200 V, tornando o dispositivo adequado para bypass de RF de precisão, bloqueio de CC e redes correspondentes.

Especificações elétricas (T = 25°C, salvo indicação em contrário)

Confiabilidade e Qualificação (valores típicos)

Aplicações Típicas

• Redes de bloqueio RF DC de alta tensão e injeção de polarização
• Correspondência de impedância em amplificadores de potência e front-ends de antena operando acima de 100 V
• Bypass e desacoplamento de precisão onde CV plano e dependência de baixa frequência são críticos
• Instrumentação de teste e medição e padrões de calibração VNA
• Subsistemas médicos de RF e equipamentos industriais de geração de RF