Condensateur MOS à faible capacitance quantique 100pF 200V Champ de claquage diélectrique ultra-élevé puce monocouche pour HV RF

Condensateur MOS à faible capacité quantique, 100pF, 200V, fil monocouche, puce RF pouvant être reliée, HACC101S200V801

Définition du produit :Le HACC101S200V801 est un condensateur MOS (metal-oxyde-semiconductor) monocouche construit sur un substrat de silicium à zone flottante à haute résistivité avec un dioxyde de silicium dense développé thermiquement (SiO₂) diélectrique. Il fournit 100 pF (±10 %) à une tension de fonctionnement de 200 V CC dans une puce filaire de 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm. La même famille de dispositifs est également décrite comme une puce de condensateur monocouche (SLC), un condensateur à puce RF, un condensateur à liaison filaire ou un condensateur à puce MOS.

Ses deux caractéristiques déterminantes sont unfaible effet de capacité quantiqueet unchamp de claquage diélectrique ultra élevé (>10 MV/cm). Ensemble, ils prennent en charge une réponse CV plate et ultra-linéaire et une valeur nominale élevée de 200 V dans une puce compacte.

Principales fonctionnalités

Effet de faible capacité quantique

Dans toute structure MOS, la capacité mesurée est une combinaison en série de la capacité de l'oxyde (Cox) et de la capacité du semi-conducteur, qui inclut la capacité quantique (Cq) associée à la densité finie d'états à la surface du silicium. Lorsque Cq est comparable à Cox, la capacité totale devient dépendante de la polarisation et de la fréquence et tombe en dessous de la valeur d'oxyde attendue. Le HACC101S200V801 est conçu avec une électrode de silicium à zone flottante fortement dopée et une interface optimisée afin queCq reste plus de 10 fois plus grand que Cox. L'effet de capacité quantique est donc négligeable et le dispositif se comporte comme un condensateur à oxyde presque idéal : la valeur mesurée est égale à la capacité géométrique de l'oxyde, plate sur toute la plage de polarisation et stable en fréquence.

Champ de claquage diélectrique ultra-élevé (>10 MV/cm)

Le diélectrique est un SiO thermique de haute qualité₂avec une faible densité de défauts et un champ de claquage intrinsèque dépassant10 MV/cm. Cette robustesse diélectrique prend en charge une200 V CCnominale et une tension de tenue diélectrique supérieure à500 V CC (250 % de la valeur nominale)dans une puce compacte à liaison filaire de 20 mil, offrant une marge généreuse pour les chaînes de signaux RF haute tension, l'injection de polarisation et les événements transitoires. La tenue en tension diélectrique est vérifiée sur 100% des unités de production.

Performances stables à faible perte

Le coefficient de température de la capacité est d'environ+35 ppm/°C, presque linéaire de -55°C à +125°C, avec un faible coefficient de polarisation DC (<10 ppm/V). Q dépasse2000 à 1 MHz, ESL est en dessous0,05 nH, et le courant de fuite reste inférieur10 nA à 200 V, ce qui rend l'appareil adapté au contournement RF de précision, au blocage CC et aux réseaux correspondants.

Spécifications électriques (T = 25°C sauf indication contraire)

Fiabilité et qualification (valeurs typiques)

Applications typiques

• Réseaux de blocage et d'injection de polarisation haute tension RF DC
• Adaptation d'impédance dans les amplificateurs de puissance et les frontaux d'antenne fonctionnant au-dessus de 100 V
• Contournement et découplage de précision là où le CV plat et la dépendance aux basses fréquences sont critiques
• Instruments de test et de mesure et étalons d’étalonnage VNA
• Sous-systèmes RF médicaux et équipements de génération RF industriels