MOS-condensator met lage kwantumcapaciteit 100pF 200V Ultra-High Dielectric Breakdown Field Single-Layer Chip voor HV RF

HACC101S200V801 Lage Kwantum Capaciteit MOS Condensator 100pF 200V Enkellaags Draadlasbare RF Chip

Productdefinitie: De HACC101S200V801 is een enkellaagse metaal-oxide-halfgeleider (MOS) condensator gebouwd op een silicium substraat met hoge weerstand, float-zone, met een dichte, thermisch gegroeide siliciumdioxide (SiO₂) diëlektricum. Hij levert 100 pF (±10%) bij een werkspanning van 200 V DC in een 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm draadlasbare chip. Dezelfde apparaatfamilie wordt ook beschreven als een enkellaagse condensator (SLC) chip, een RF chipcondensator, een draadlasbare condensator, of een MOS chipcondensator.

Zijn twee bepalende kenmerken zijn een laag kwantum capaciteitseffect en een ultrahoge diëlektrische doorslagveld (>10 MV/cm). Samen ondersteunen ze een vlakke, ultralineaire C-V respons en een hoge 200 V rating in een compacte chip.

Belangrijkste Kenmerken

Laag Kwantum Capaciteitseffect

In elke MOS-structuur is de gemeten capaciteit een serieschakeling van de oxidecapaciteit (Cox) en de halfgeleidercapaciteit, die de kwantumcapaciteit (Cq) omvat die geassocieerd is met de eindige dichtheid van toestanden aan het siliciumoppervlak. Wanneer Cq vergelijkbaar is met Cox, wordt de totale capaciteit afhankelijk van de spanning en frequentie en daalt deze onder de verwachte oxidewaarde. De HACC101S200V801 is ontworpen met een zwaar gedoteerde float-zone silicium elektrode en een geoptimaliseerde interface zodat Cq meer dan 10x groter blijft dan Cox. Het kwantum capaciteitseffect is daarom verwaarloosbaar en het apparaat gedraagt zich als een bijna ideale oxidecondensator: de gemeten waarde is gelijk aan de geometrische oxidecapaciteit, vlak over het gehele spanningsbereik en stabiel met de frequentie.

Ultrahoge Diëlektrische Doorslagveld (>10 MV/cm)

Het diëlektricum is een hoogwaardige thermische SiO₂ met een lage defectdichtheid en een intrinsiek doorslagveld van meer dan 10 MV/cm. Deze diëlektrische robuustheid ondersteunt een continue 200 V DC rating en een diëlektrische weerstandsspanning van meer dan 500 V DC (250% van nominaal) in een compacte 20 mil draadlasbare chip, wat royale marge biedt voor hoogspannings RF-signaalketens, biasinjectie en transiënte gebeurtenissen. De diëlektrische weerstandsspanning wordt geverifieerd op 100% van de productie-eenheden.

Stabiele Prestaties met Lage Verliezen

Temperatuurcoëfficiënt van capaciteit is ongeveer +35 ppm/°C, bijna lineair van -55°C tot +125°C, met een lage DC-spanningscoëfficiënt (<10 ppmV). Q exceeds 2000 bij 1 MHz, ESL is lager dan 0,05 nH, en lekstroom blijft onder 10 nA bij 200 V, waardoor het apparaat geschikt is voor precisie RF-bypass, DC-blokkering en aanpassingsnetwerken.