Capacitante MOS a bassa capacità quantistica 100pF 200V Campo di rottura dielettrico ultra elevato chip a singolo strato per HV RF

HACC101S200V801 Condensatore MOS a Bassa Capacità Quantistica 100pF 200V a Strato Singolo Saldabile RF Chip

Definizione del prodotto: L'HACC101S200V801 è un condensatore a metallo-ossido-semiconduttore (MOS) a strato singolo costruito su un substrato di silicio float-zone ad alta resistività con un dielettrico denso di biossido di silicio (SiO₂) cresciuto termicamente. Fornisce 100 pF (±10%) a una tensione di lavoro DC di 200 V in un chip saldabile di 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm. La stessa famiglia di dispositivi è anche descritta come un chip condensatore a strato singolo (SLC), un condensatore RF chip, un condensatore saldabile o un condensatore MOS chip.

Le sue due caratteristiche distintive sono un basso effetto di capacità quantistica e un campo di breakdown dielettrico ultra-elevato (>10 MV/cm). Insieme supportano una risposta C-V piatta, ultra-lineare e un'elevata tensione nominale di 200 V in un die compatto.

Caratteristiche Principali

Basso Effetto di Capacità Quantistica

In qualsiasi struttura MOS la capacità misurata è una combinazione in serie della capacità dell'ossido (Cox) e della capacità del semiconduttore, che include la capacità quantistica (Cq) associata alla densità finita di stati sulla superficie del silicio. Quando Cq è comparabile a Cox, la capacità totale diventa dipendente dalla tensione e dalla frequenza e scende al di sotto del valore atteso dell'ossido. L'HACC101S200V801 è progettato con un elettrodo di silicio float-zone pesantemente drogato e un'interfaccia ottimizzata in modo che Cq rimanga più di 10 volte maggiore di Cox. L'effetto di capacità quantistica è quindi trascurabile e il dispositivo si comporta come un condensatore di ossido quasi ideale: il valore misurato eguaglia la capacità geometrica dell'ossido, piatta sull'intero intervallo di tensione e stabile con la frequenza.

Campo di Breakdown Dielettrico Ultra-Elevato (>10 MV/cm)

Il dielettrico è un SiO termico di alta qualità₂ con bassa densità di difetti e un campo di breakdown intrinseco superiore a 10 MV/cm. Questa robustezza dielettrica supporta una tensione nominale continua di 200 V DC e una tensione di tenuta dielettrica superiore a 500 V DC (250% del nominale) in un chip saldabile compatto da 20 mil, fornendo un ampio margine per catene di segnale RF ad alta tensione, iniezione di bias ed eventi transitori. La tensione di tenuta dielettrica è verificata sul 100% delle unità di produzione.

Prestazioni Stabili a Bassa Perdita

Il coefficiente di temperatura della capacità è di circa +35 ppm/°C, quasi lineare da -55°C a +125°C, con un basso coefficiente di bias DC (<10 ppmV). Q exceeds 2000 a 1 MHz, ESL è inferiore a 0,05 nH, e la corrente di perdita rimane inferiore a 10 nA a 200 V, rendendo il dispositivo adatto per bypass RF di precisione, blocco DC e reti di adattamento.