MOS-Kondensator mit niedriger Quantenkapazität 100pF 200V Ultrahohes dielektrisches Durchbruchfeld Einzelschicht-Chip für HV-HF

HACC101S200V801 Niedrige Quantenkapazitäts-MOS-Kondensator 100pF 200V Einzelschicht Drahtbondfähiger HF-Chip

Produktdefinition: Der HACC101S200V801 ist ein einlagiger Metall-Oxid-Halbleiter (MOS) Kondensator, der auf einem hochohmigen Float-Zone-Siliziumsubstrat mit einem dichten, thermisch gewachsenen Siliziumdioxid (SiO₂) Dielektrikum aufgebaut ist. Er liefert 100 pF (±10%) bei einer Gleichspannung von 200 V in einem drahtbondfähigen Chip der Größe 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm. Dieselbe Gerätefamilie wird auch als einlagiger Kondensator (SLC) Chip, HF-Kondensator, drahtbondfähiger Kondensator oder MOS-Chipkondensator bezeichnet.

Seine beiden definierenden Merkmale sind ein niedriger Quantenkapazitätseffekt und ein ultrahohes dielektrisches Durchbruchfeld (>10 MV/cm). Zusammen unterstützen sie eine flache, ultra-lineare C-V-Kennlinie und eine hohe Nennspannung von 200 V in einem kompakten Die.

Hauptmerkmale

Niedriger Quantenkapazitätseffekt

In jeder MOS-Struktur ist die gemessene Kapazität eine Reihenschaltung aus der Oxidkapazität (Cox) und der Halbleiterkapazität, die die Quantenkapazität (Cq) im Zusammenhang mit der endlichen Zustandsdichte an der Siliziumoberfläche einschließt. Wenn Cq mit Cox vergleichbar ist, wird die Gesamtkapazität bias- und frequenzabhängig und fällt unter den erwarteten Oxidwert. Der HACC101S200V801 ist mit einer stark dotierten Float-Zone-Siliziumelektrode und einer optimierten Grenzfläche so konzipiert, dass Cq mehr als 10× größer als Cox bleibt. Der Quantenkapazitätseffekt ist daher vernachlässigbar und das Gerät verhält sich wie ein nahezu idealer Oxidkondensator: Der gemessene Wert entspricht der geometrischen Oxidkapazität, ist über den gesamten Biasbereich flach und frequenzstabil.

Ultrahohes dielektrisches Durchbruchfeld (>10 MV/cm)

Das Dielektrikum ist ein hochwertiges thermisches SiO₂ mit geringer Defektdichte und einem intrinsischen Durchbruchfeld von über 10 MV/cm. Diese dielektrische Robustheit unterstützt eine kontinuierliche 200 V DC Nennspannung und eine dielektrische Spannungsfestigkeit von über 500 V DC (250% der Nennspannung) in einem kompakten 20-mil-drahtbondfähigen Chip, was einen großzügigen Spielraum für Hochspannungs-HF-Signalketten, Bias-Injektion und transiente Ereignisse bietet. Die dielektrische Spannungsfestigkeit wird bei 100% der Produktionseinheiten überprüft.

Stabile verlustarme Leistung

Der Temperaturkoeffizient der Kapazität beträgt ungefähr +35 ppm/°C, nahezu linear von -55°C bis +125°C, mit einem niedrigen DC-Bias-Koeffizienten (<10 ppmV). Q exceeds 2000 bei 1 MHz, ESL ist unter 0,05 nH, und der Leckstrom bleibt unter 10 nA bei 200 V, was das Gerät für präzise HF-Bypass-, DC-Blockierungs- und Anpassungsnetzwerke geeignet macht.