| Nombre De La Marca: | Hoan |
| Número De Modelo: | HACC-100S30V100 |
| Cantidad Mínima De Pedido: | 10 piezas |
| Condiciones De Pago: | LC, D/A, D/P, T/T, Unión Occidental |
ElHACC-100S30V100es una matriz de múltiples condensadores MOS de una sola capa totalmente personalizable que integra cuatro bloques de capacitores independientes de 100pF ±10% en una única matriz de 1,00 * 1,00 * 0,15 mm. Cada canal cuenta con su propia almohadilla de unión de electrodos superior con acceso independiente a la unión de cables, mientras que todos los canales comparten un plano de tierra posterior común a través de la metalización TiW-Pt-Au. Fabricado con silicio de zona flotante de alta resistividad (>1000 Ω·cm) con dieléctrico térmico de SiO₂ de 300 nm, este conjunto reemplaza cuatro condensadores discretos de una sola capa con un solo chip, lo que reduce los pasos de ensamblaje, el número de cables de conexión y la huella del circuito híbrido hasta en un 75 %. Cada troquel se somete a pruebas paramétricas de CC y RF a nivel de oblea al 100 % con una tasa de defectos verificada inferior a 10 DPPM mediante pruebas de vida útil acelerada de 2 millones de horas del dispositivo según JEDEC JESD74A, con capacidad de proceso controlado por SPC (CpK >1,67).
El HACC-ARRAY4-100S30V100 integra cuatro bloques de condensadores independientes en un solo troquel, cada uno de los cuales se puede unir con cables individualmente. Esta arquitectura ofrece tres ventajas fundamentales sobre las soluciones multichip discretas:
La plataforma HACC-ARRAY4 admite múltiples configuraciones de matriz para adaptarse a su topología de circuito específica:
Cada troquel HACC-ARRAY4 se somete a pruebas de CC y RF al 100 % a nivel de oblea antes de cortarlos en cubitos. El programa de prueba cubre cada canal de capacitor en cada matriz, no un enfoque AQL basado en muestras:
Una tasa de defectos inferior a 10 DPPM (piezas defectuosas por millón) no es un objetivo al que aspirar: es una métrica de producción verificada respaldada por la siguiente infraestructura de calidad:
| Parámetro | Valor | Condición |
|---|---|---|
| Número de canales | 4 independientes | — |
| Capacitancia por canal | 100pF ±10% | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Coincidencia de canales | <±1% dentro del troquel | Cualquier dos canales |
| Tensión CC nominal | 30V por canal | Continuo |
| Tensión de resistencia dieléctrica | >75 V (clasificación >2,5*) | 5 segundos de permanencia, 100 % de prueba por canal |
| Aislamiento de canal a canal | >40 dB a 1 GHz | — |
| Factor Q @ 1MHz / @ 1GHz | >2000 / >200 | Por canal |
| ESR a 1GHz | <0,1 Ω por canal | Desincrustado |
| ESL con chip intrínseco | <0,05 nH por canal | Desincrustado |
| Fuga @ 25°C / @ 125°C | <10nA / <100nA por canal | 30 VCC |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C | -55°C a +125°C, todos los canales coinciden |
| Dieléctrico | SiO₂ térmico, 300 nm | — |
| sustrato | Zona flotante Si, >1000 Ω·cm | — |
| Dimensiones del troquel | 1,00*1,00*0,15mm | Tolerancia de ±25 µm |
| Metalización superior | TiW-Au, ≥2,5 µm Au por almohadilla | 4 pads independientes, 200*200μm cada uno |
| Metalización trasera | TiW-Pt-Au, ≥1,0 µm Au | Terreno común, barrera PT |
| Tasa de defectos | <10 ppm | Prueba de vida acelerada verificada |
| Temperatura de funcionamiento/almacenamiento | -55 a +125°C / -65 a +150°C | — |
| RoHS | Cumple (UE 2015/863) | Libre de halógenos según IEC 61249-2-21 |
El producto estándar se envía como HACC-100S30V100: 4 canales, 100 pF por canal, 30 V, troquel de 1,00 x 1,00 mm en paquete tipo gofre con mapa de oblea KGD. Configuraciones personalizadas disponibles bajo pedido con cantidades mínimas de pedido a partir de 100 piezas:
Contáctenoscon sus requisitos de matriz para una evaluación de viabilidad, una estimación del tiempo de entrega y una cotización. Las muestras de evaluación estándar de 4 canales de 100 pF se envían en un plazo de 3 a 4 semanas con datos de prueba paramétricos completos por canal, informes de coincidencia de canales y mapa de oblea KGD digital.