| Marchio: | Hoan |
| Numero di modello: | HACC-100S30V100 |
| MOQ: | 10 pezzi |
| Termini di pagamento: | L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union |
Il HACC-100S30V100 è un array multi-condensatore MOS monostrato completamente personalizzabile che integra quattro blocchi di condensatori indipendenti da 100pF ±10% su un singolo die da 1,00 * 1,00 * 0,15 mm. Ogni canale dispone del proprio pad di connessione dell'elettrodo superiore con accesso indipendente tramite filo, mentre tutti i canali condividono un piano di massa posteriore comune tramite metallizzazione TiW-Pt-Au. Realizzato su silicio a zona flottante ad alta resistività (>1000 Ω·cm) con dielettrico SiO₂ termico da 300 nm, questo array sostituisce quattro condensatori monostrato discreti con un singolo chip, riducendo i passaggi di assemblaggio, il numero di fili di connessione e l'ingombro del circuito ibrido fino al 75%. Ogni die viene sottoposto al 100% di test parametrici DC e RF a livello di wafer con un tasso di difetti verificato inferiore a 10 DPPM attraverso test di vita accelerata per 2 milioni di ore-dispositivo per JEDEC JESD74A, con capacità di processo controllata SPC (CpK >1,67).
L'HACC-ARRAY4-100S30V100 integra quattro blocchi di condensatori indipendenti in un singolo die, ognuno dei quali può essere collegato individualmente con filo. Questa architettura offre tre vantaggi fondamentali rispetto alle soluzioni discrete multi-chip:
Array a Valore Uguale a 4 Canali (standard):
Test parametrico DC per canale:
Ogni sito di condensatore su ogni wafer viene sondato. I die fuori specifica vengono mappati elettronicamente anziché inchiostrati fisicamente, eliminando il rischio di contaminazione da particelle di inchiostro nell'ambiente di camera bianca. La mappa del wafer viene trasferita direttamente all'ordinatore automatico di pick-and-place dei die.
| 4 indipendenti | — | Capacità per Canale |
|---|---|---|
| 100pF ±10% | 1MHz, 1,0Vrms | |
| <±1% all'interno del die | Qualsiasi due canali | Tensione DC Nominale |
| 30V per canale | Continuo | Tensione di Tenuta Dielettrica |
| >75V (>2,5* nominale) | dwell di 5 sec, test al 100% per canale | Isolamento Canale-Canale |
| >40dB @ 1GHz | — | Fattore Q @ 1MHz / @ 1GHz |
| >2000 / >200 | Per canale | |
| <0,1 Ω per canale | De-embedded | ESL Intrinseca del Chip |
| <0,05nH per canale | De-embedded | TCC |
| 30V DC | TCC | |
| 0 ±30 ppm/°C | <10nA > | -55°C a +125°C, tutti i canali abbinati | Dielettrico
| SiO₂ Termico, 300nm | — | Substrato |
| Si a zona flottante, >1000 Ω·cm | — | |
| 1,00 * 1,00 * 0,15mm | tolleranza ±25µm | |
| TiW-Au, ≥2,5µm Au per pad | 4 pad indipendenti, 200*200µm ciascuno | Metallizzazione Posteriore |
| TiW-Pt-Au, ≥1,0µm Au | Massa comune, barriera Pt | Tasso di Difetti |
| <10 DPPM | Verificato tramite test di vita accelerata | Temp. Operativa / Stoccaggio |
| -55 a +125°C / -65 a +150°C | — | RoHS |
| Conforme (EU 2015/863) | Senza alogeni secondo IEC 61249-2-21 | |
| 6. Riferimento Rapido per l'Assemblaggio | Attacco Die: | Saldatura eutettica AuSn (300–320°C, N₂/H₂) o epossidico conduttivo Ag (Epotek H20E, 120°C/30min). Un singolo passaggio di attacco die sostituisce quattro posizionamenti discreti. |
Topologia dell'array: