レーザートリム 220 pF MOSコンデンサ ウェーハレベルマッチング シングルレイヤチップ TOSA ROSA光トランシーバ用

HACC221S20V500 - レーザーで切断された 220 pF MOS コンデンサ, 20V,ウェーファーレベルマッチングシングルレイヤーチップ

簡単に言うとHACC221S20V500は,配線可能な単層MOS (金属酸化半導体) コンデンサで,20VDCで220pF ±10%を指定している.各ダイはレーザーで切削され,ウエファーレベルは±0.1%より良くマッチされている.TOSA と ROSA オプティカルトランシーバー DC ブロックの実用的な選択バイアス・ティとインピーダンスのマッチングネットワーク

主要なパフォーマンスメリット

1レーザートリミングとウェーファーレベルの精密マッチング

• 各コンデンサは個別に目標値にレーザートリミングされ,差点ドライバとTIAフロントエンドの0.1%以内にペアマッチングを達成
• ワッファーレベル測定とビニングは,容量を全局に一貫して保ち,光学眼図を劣化する不一致を減らす
• 適合したペアとフィルターでは,絶対容量は ±2% (標準 ±10%) まで限られる
• 繰り返しのユニット対ユニット RF 動作は,ボリュームトランシーバー組成における校正と再処理を減らす

2. オプティカルトランシーバー / TOSA & ROSA に最適化

• 超低固有ESL (<0.05nH) とチップレベルのSRF >2 GHzは,25 Gb/sから800 Gb/sのPAM4速度でクリーンDCブロックとマッチングをサポートする
• 高Q因数 (>200 @ 1 GHz) は,バイアス・ティとマッチングネットワークにおける挿入損失を最小限に抑える
• コンパクトな0.50 × 0.50 × 0.15 mmの足跡は,密度の高いTOSA/ROSAレイアウトに適しています
• 金のリボンと25 μm Auの熱音結合のためのワイヤー結合可能な上部接触 (TaN/TiW/Ni/Au,≥2.5 μm Au)
• 双面境界構造は,ダイアタッチ中にエポキシ収納と光学アライナメント参照を提供します.

カスタマイズオプション

申請

• 100G/400G/800G QSFP-DD と OSFP オプティカルトランシーバー DC ブロックとバイパス
• TOSA/ROSAドライバーとTIA間段接続
• コーレント光学とシリコン光学 RFマッチング
• 5G NR FR1/FR2 パワーアンプのインペダンスマッチング
• RF試験および測定フロントエンド