لیزر برش 220 pF MOS Capacitor Wafer-Level Matched Single Layer Chip برای فرستنده های نوری TOSA ROSA

HACC221S20V500 - خازن MOS با تلرانس لیزری 220 پیکوفاراد، 20 ولت، تک لایه منطبق در سطح ویفر

به طور خلاصه: HACC221S20V500 یک خازن MOS (فلز-اکسید-نیمه هادی) تک لایه قابل سیم‌بندی با ظرفیت نامی 220 پیکوفاراد ±10% در ولتاژ 20 ولت DC است. هر دای به صورت لیزری برش خورده و در سطح ویفر با دقت بهتر از ±0.1% منطبق شده است، که آن را به گزینه‌ای عملی برای بلوک‌های DC فرستنده نوری TOSA و ROSA، تری‌های بایاس و شبکه‌های تطبیق امپدانس تبدیل می‌کند.

مزایای کلیدی عملکرد

1. برش لیزری و تطابق دقیق در سطح ویفر

• هر خازن به صورت جداگانه با لیزر به مقدار هدف برش داده می‌شود و تطابق جفت‌ها را در حد ±0.1% برای درایورهای دیفرانسیلی و جلوی TIA تضمین می‌کند.
• اندازه‌گیری و دسته‌بندی در سطح ویفر، ظرفیت را در کل بچ ثابت نگه می‌دارد و عدم تطابقی را که نمودارهای چشمی نوری را تخریب می‌کند، کاهش می‌دهد.
• تلرانس مطلق دقیق تا ±2% (استاندارد ±10%) برای جفت‌های منطبق و فیلترها موجود است.
• رفتار RF تکرارپذیر واحد به واحد، کالیبراسیون و بازکاری را در مونتاژ فرستنده حجمی کاهش می‌دهد.

2. بهینه‌سازی شده برای فرستنده‌های نوری / TOSA و ROSA

• ESL ذاتی فوق‌العاده کم (2 گیگاهرتز از بلوک DC تمیز و تطبیق در نرخ‌های PAM4 از 25 گیگابیت بر ثانیه تا 800 گیگابیت بر ثانیه پشتیبانی می‌کند.
• ضریب Q بالا (>200 @ 1 گیگاهرتز) تلفات درج را در تری‌های بایاس و شبکه‌های تطبیق به حداقل می‌رساند.
• ابعاد فشرده 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی‌متر در طرح‌بندی‌های متراکم TOSA/ROSA جای می‌گیرد.
• تماس بالایی قابل سیم‌بندی (TaN/TiW/Ni/Au، ≥2.5 میکرومتر Au) برای سیم‌کشی طلایی و لحیم‌کاری ترموسونیک طلای 25 میکرومتری.
• معماری لبه‌دار دو طرفه، محفظه اپوکسی و مرجع تراز نوری را در حین اتصال دای فراهم می‌کند.

گزینه‌های سفارشی‌سازی

کاربردها

• بلوک‌ها و بای‌پس DC فرستنده نوری 100G/400G/800G QSFP-DD و OSFP
• کوپلینگ بین مرحله‌ای درایور TOSA/ROSA و TIA
• تطبیق RF اپتیک‌های همدوس و فوتونیک سیلیکونی
• تطبیق امپدانس تقویت‌کننده توان 5G NR FR1/FR2
• جلوی تست و اندازه‌گیری RF