Laser Trimmed 220 pF MOS Capacitor Wafer-Level Matched Single Layer Chip cho máy thu quang TOSA ROSA

HACC221S20V500 - Tụ MOS Cắt Laser 220 pF, 20V, Ghép Cặp Cấp Wafer Đơn Lớp

Nói ngắn gọn: HACC221S20V500 là tụ MOS (kim loại-oxit-bán dẫn) đơn lớp có thể hàn dây, định mức 220 pF ±10% ở 20V DC. Mỗi chip được cắt laser và ghép cặp ở cấp wafer với độ chính xác tốt hơn ±0.1%, làm cho nó trở thành lựa chọn thực tế cho các khối DC, tee phân cực và mạng phối hợp trở kháng của bộ thu phát quang TOSA và ROSA.

Ưu điểm Hiệu suất Chính

1. Cắt Laser & Ghép Cặp Chính xác Cấp Wafer

• Mỗi tụ điện được cắt laser riêng lẻ đến giá trị mục tiêu, đạt được ghép cặp trong vòng ±0.1% cho các đầu cuối driver vi sai và TIA
• Đo lường và phân loại cấp wafer giữ cho điện dung nhất quán trên toàn bộ lô, giảm thiểu sự không khớp làm suy giảm biểu đồ mắt quang
• Dung sai tuyệt đối chặt chẽ có sẵn xuống đến ±2% (tiêu chuẩn ±10%) cho các cặp ghép và bộ lọc
• Hành vi RF đơn vị-đơn vị có thể lặp lại làm giảm hiệu chuẩn và sửa chữa trong quá trình lắp ráp bộ thu phát số lượng lớn

2. Tối ưu hóa cho Bộ Thu Phát Quang / TOSA & ROSA

• ESL nội tại cực thấp (2 GHz hỗ trợ chặn DC sạch và phối hợp ở tốc độ PAM4 từ 25 Gb/s đến 800 Gb/s
• Hệ số Q cao (>200 @ 1 GHz) giảm thiểu tổn thất chèn trong tee phân cực và mạng phối hợp
• Kích thước nhỏ gọn 0.50 × 0.50 × 0.15 mm phù hợp với bố cục TOSA/ROSA dày đặc
• Tiếp điểm trên có thể hàn dây (TaN/TiW/Ni/Au, ≥2.5 µm Au) cho dây vàng và hàn nhiệt siêu âm bằng vàng 25 µm
• Kiến trúc viền hai mặt cung cấp khả năng chứa epoxy và tham chiếu căn chỉnh quang trong quá trình gắn chip

Tùy chọn Tùy chỉnh

Ứng dụng

• Khối DC và bypass bộ thu phát quang QSFP-DD và OSFP 100G/400G/800G
• Ghép nối giữa driver TOSA/ROSA và TIA
• Phối hợp RF quang học kết hợp và quang tử silicon
• Phối hợp trở kháng bộ khuếch đại công suất 5G NR FR1/FR2
• Đầu cuối đo lường và kiểm tra RF