Detalles de los productos

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Condensadores MOS
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Laser recortado 220 pF MOS condensador chip de capa única de nivel de obleas para transceptores ópticos TOSA ROSA

Laser recortado 220 pF MOS condensador chip de capa única de nivel de obleas para transceptores ópticos TOSA ROSA

Nombre De La Marca: Hoan
Número De Modelo: HACC221S20V500
Cantidad Mínima De Pedido: 10 piezas
Condiciones De Pago: T/T, L/C, D/A, D/P
Información detallada
Lugar de origen:
Shaanxi, China
Certificación:
ISO 9001:2015
Arquitectura de diseño:
Bordeado a doble cara (margen)
Temperatura de funcionamiento:
-55°C a +125°C
Temperatura de almacenamiento:
20-25°C, 40-60% RH, gabinete de nitrógeno
Sensibilidad de humedad:
MSL 1 (vida útil ilimitada del piso según J-STD-020)
Cobertura de prueba a nivel de oblea:
100 % de capacitancia, fugas y averías sondeadas en la oblea
Aplicaciones:
TOSA/ROSA, transceptores ópticos, adaptación de RF y bloqueo de CC
Resaltar:

Condensador MOS de 220 pF

,

Capacitador MOS de nivel de oblea ajustado

,

Chip de una sola capa para TOSA ROSA

Descripción de producto

HACC221S20V500 - Capacitor MOS de 220 pF con recorte láser, 20V, coincidencia a nivel de oblea individual


En resumen: El HACC221S20V500 es un capacitor MOS (semiconductor de óxido metálico) de capa única enlazable por alambre con una capacidad nominal de 220 pF ±10% a 20V DC. Cada chip está recortado con láser y emparejado a nivel de oblea a mejor que ±0.1%, lo que lo convierte en una opción práctica para bloques de CC de transceptores ópticos TOSA y ROSA, tees de polarización y redes de adaptación de impedancia.


Ventajas Clave de Rendimiento

1. Recorte láser y coincidencia de precisión a nivel de oblea

  • Cada capacitor se recorta individualmente con láser a un valor objetivo, logrando una coincidencia de pares dentro de ±0.1% para frontales de drivers diferenciales y TIA
  • La medición y clasificación a nivel de oblea mantienen la capacitancia constante en todo el lote, reduciendo la desadaptación que degrada los diagramas de ojo óptico
  • Tolerancia absoluta ajustada disponible hasta ±2% (estándar ±10%) para pares emparejados y filtros
  • El comportamiento de RF repetible unidad a unidad reduce la calibración y el retrabajo en el ensamblaje de transceptores en volumen

2. Optimizado para transceptores ópticos / TOSA y ROSA

  • ESL intrínseca ultrabaja (2 GHz soporta bloqueo de CC limpio y adaptación a velocidades PAM4 de 25 Gb/s a 800 Gb/s
  • Alto factor Q (>200 @ 1 GHz) minimiza la pérdida de inserción en tees de polarización y redes de adaptación
  • Huella compacta de 0.50 × 0.50 × 0.15 mm se adapta a diseños densos de TOSA/ROSA
  • Contacto superior enlazable por alambre (TaN/TiW/Ni/Au, ≥2.5 µm Au) para cinta de oro y unión termo-sónica de Au de 25 µm
  • La arquitectura de borde de doble cara proporciona contención de epoxi y una referencia de alineación óptica durante la unión del chip


Opciones de personalización

Parámetro Estándar Rango personalizado
Capacitancia 220 pF ±10% 10 pF - 1000 pF; ±2% disponible
Voltaje nominal 20V DC 6.3V - 100V DC
Tipo de dieléctrico COG/NPO (Clase I) X7R (Clase II) o personalizado
Tamaño del chip 0.50 × 0.50 × 0.15 mm 0.25 × 0.25 mm a 5.0 × 5.0 mm
Metalización superior TaN/TiW/Ni/Au, ≥2.5 µm Au Hasta 5.0 µm Au
Arquitectura de diseño Borde de doble cara Una cara o sin borde


Aplicaciones

  • Bloques de CC y bypass de transceptores ópticos QSFP-DD y OSFP de 100G/400G/800G
  • Acoplamiento inter-etapa de driver TOSA/ROSA y TIA
  • Adaptación de RF de óptica coherente y fotónica de silicio
  • Adaptación de impedancia de amplificador de potencia 5G NR FR1/FR2
  • Frontales de prueba y medición de RF


Laser recortado 220 pF MOS condensador chip de capa única de nivel de obleas para transceptores ópticos TOSA ROSA