รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ตัวเก็บประจุ MOS แบบตัดด้วยเลเซอร์ 220 pF ระดับเวเฟอร์ จับคู่ชิปชั้นเดียวสำหรับทรานซีฟเวอร์ออปติคัล TOSA ROSA

Name: ตัวเก็บประจุ MOS แบบตัดด้วยเลเซอร์ 220 pF ระดับเวเฟอร์ จับคู่ชิปชั้นเดียวสำหรับทรานซีฟเวอร์ออปติคัล TOSA ROSA
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC221S20V500
Price: ต่อรองได้ USD
Availability: InStock

ชื่อแบรนด์:	Hoan
หมายเลขรุ่น:	HACC221S20V500
ขั้นต่ำ:	10 ชิ้น
เงื่อนไขการชำระเงิน:	T/T,L/C,D/A,D/P

ข้อมูลรายละเอียด

คําอธิบายสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

มณฑลส่านซีประเทศจีน

ได้รับการรับรอง:

ISO 9001:2015

สถาปัตยกรรมการออกแบบ:

มีขอบสองด้าน (ขอบ)

อุณหภูมิในการทำงาน:

-55°ซ ถึง +125°ซ

อุณหภูมิในการจัดเก็บ:

20-25°C, 40-60% RH, ตู้ไนโตรเจน

ความไวต่อความชื้น:

MSL 1 (อายุพื้นไม่จำกัดต่อ J-STD-020)

ความครอบคลุมการทดสอบระดับเวเฟอร์:

ตรวจสอบความจุ การรั่วไหลและการพังทลาย 100% บนเวเฟอร์

การใช้งาน:

TOSA/ROSA, เครื่องรับส่งสัญญาณแบบออปติคัล, การจับคู่ RF และการบล็อก DC

เน้น:

ตัวเก็บประจุ MOS 220 pF

ตัวเก็บประจุ MOS แบบจับคู่ระดับเวเฟอร์

ชิปชั้นเดียวสำหรับ TOSA ROSA

คําอธิบายสินค้า

HACC221S20V500 - ตัวเก็บประจุ MOS แบบเลเซอร์ตัด 220 pF, 20V, จับคู่ระดับเวเฟอร์เดี่ยว

โดยสรุป: HACC221S20V500 เป็นตัวเก็บประจุ MOS (metal-oxide-semiconductor) แบบชั้นเดียวที่สามารถต่อสายได้ มีพิกัด 220 pF ±10% ที่ 20V DC แต่ละไดถูกตัดด้วยเลเซอร์และจับคู่ระดับเวเฟอร์ได้ดีกว่า ±0.1% ทำให้เป็นตัวเลือกที่ใช้งานได้จริงสำหรับ TOSA และ ROSA optical transceiver DC blocks, bias tees และ impedance matching networks.

ข้อได้เปรียบด้านประสิทธิภาพหลัก

1. การตัดด้วยเลเซอร์และการจับคู่ความแม่นยำระดับเวเฟอร์

ตัวเก็บประจุแต่ละตัวถูกตัดด้วยเลเซอร์ตามค่าเป้าหมายเพื่อให้ได้คู่ที่จับคู่ภายใน ±0.1% สำหรับ differential driver และ TIA front-ends
การวัดและจัดกลุ่มระดับเวเฟอร์ช่วยรักษาความจุให้สม่ำเสมอทั่วทั้งล็อต ลดความไม่ตรงกันที่ทำให้แผนภาพตาของแสงแย่ลง
มีค่าความคลาดเคลื่อนสัมบูรณ์ที่แม่นยำถึง ±2% (มาตรฐาน ±10%) สำหรับคู่ที่จับคู่และฟิลเตอร์
พฤติกรรม RF ที่ทำซ้ำได้ระหว่างหน่วยช่วยลดการปรับเทียบและการทำงานซ้ำในการประกอบทรานซีฟเวอร์ปริมาณมาก

2. ปรับให้เหมาะสมสำหรับ Optical Transceivers / TOSA & ROSA

ESL ภายในต่ำมาก (2 GHz รองรับ DC blocking และการจับคู่ที่สะอาดที่อัตรา PAM4 25 Gb/s ถึง 800 Gb/s
ค่า Q สูง (>200 @ 1 GHz) ช่วยลดการสูญเสียการแทรกใน bias-tee และเครือข่ายการจับคู่
ขนาดกะทัดรัด 0.50 × 0.50 × 0.15 มม. เหมาะกับเลย์เอาต์ TOSA/ROSA ที่หนาแน่น
หน้าสัมผัสบนที่สามารถต่อสายได้ (TaN/TiW/Ni/Au, ≥2.5 µm Au) สำหรับริบบิ้นทองและ 25 µm Au thermosonic bonding
สถาปัตยกรรมขอบสองด้านให้การกักเก็บอีพอกซีและจุดอ้างอิงการจัดตำแหน่งแสงระหว่างการติดได

ตัวเลือกการปรับแต่ง

พารามิเตอร์	มาตรฐาน	ช่วงที่กำหนดเอง
ความจุ	220 pF ±10%	10 pF - 1000 pF; มี ±2% ให้เลือก
แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด	20V DC	6.3V - 100V DC
ประเภทไดอิเล็กทริก	COG/NPO (คลาส I)	X7R (คลาส II) หรือกำหนดเอง
ขนาดชิป	0.50 × 0.50 × 0.15 มม.	0.25 × 0.25 มม. ถึง 5.0 × 5.0 มม.
โลหะด้านบน	TaN/TiW/Ni/Au, ≥2.5 µm Au	สูงสุด 5.0 µm Au
สถาปัตยกรรมดีไซน์	ขอบสองด้าน	ด้านเดียวหรือไม่มีขอบ

การใช้งาน

100G/400G/800G QSFP-DD และ OSFP optical transceiver DC blocks และ bypass
TOSA/ROSA driver และ TIA inter-stage coupling
Coherent optics และ silicon photonics RF matching
5G NR FR1/FR2 power amplifier impedance matching
RF test และ measurement front-ends

ตัวเก็บประจุ MOS แบบตัดด้วยเลเซอร์ 220 pF ระดับเวเฟอร์ จับคู่ชิปชั้นเดียวสำหรับทรานซีฟเวอร์ออปติคัล TOSA ROSA

แท็ก:

ตัวเหนี่ยวนำทรงกรวย

อินดูเตอร์เบนด์กว้าง

ตัวเหนี่ยวนำแกนอากาศ

ตัวเหนี่ยวนำขดลวดอากาศ

เครื่องปรับความแรง MOS