Laser Trimmed 220 pF MOS Capacitor Chip de camada única de nível de wafer combinado para transceptores ópticos TOSA ROSA

HACC221S20V500 - Capacitor MOS 220 pF cortado a laser, 20V, chip de camada única combinado a nível de wafer

Em resumo:O HACC221S20V500 é um condensador MOS (metal-óxido-semicondutor) de camada única ligável a fio com 220 pF ± 10% a 20V DC. Cada matriz é cortada a laser e o nível da bolacha é ajustado para melhor do que ± 0,1%,tornando-se uma escolha prática para blocos TOSA e ROSA de transceptor óptico DC, bias tees e redes de correspondência de impedância.

Principais vantagens de desempenho

1. Laser Trimmed & Wafer-nível de correspondência de precisão

• Cada condensador é individualmente cortado a laser para um valor alvo, alcançando a correspondência de pares dentro de ± 0,1% para o condutor diferencial e front-ends TIA
• A medição ao nível da wafer e o bining mantêm a capacitância consistente em todo o lote, reduzindo a incompatibilidade que degrada os diagramas ópticos do olho
• Tolerância absoluta limitada disponível até ± 2% (padrão ± 10%) para pares e filtros correspondentes
• Comportamento RF repetível de unidade para unidade reduz a calibração e o retrabalho no conjunto do transceptor de volume

2Optimizado para transceptores ópticos / TOSA & ROSA

• ESL intrínseca ultra-baixa (< 0,05 nH) com SRF de nível de chip > 2 GHz suporta bloqueio e correspondência de DC limpo a taxas PAM4 de 25 Gb/s a 800 Gb/s
• Fator Q elevado (> 200 @ 1 GHz) minimiza a perda de inserção em redes de bias-tee e correspondência
• Compatível 0,50 × 0,50 × 0,15 mm pegada se encaixa em layouts TOSA / ROSA densos
• Contacto superior ligável a fio (TaN/TiW/Ni/Au, ≥ 2,5 μm Au) para fita de ouro e ligação termo-sônica de 25 μm Au
• Arquitetura bordada de dois lados fornece contenção de epóxi e uma referência de alinhamento óptico durante a fixação de die

Opções de personalização

Aplicações

• 100G/400G/800G QSFP-DD e OSFP transceptor óptico blocos de corrente contínua e bypass
• O condutor TOSA/ROSA e o acoplamento interfase TIA
• Optica coerente e fotônica de silício correspondência de RF
• Compatibilidade de impedância do amplificador de potência 5G NR FR1/FR2
• Fronteiras de ensaio e medição de RF