Einzelheiten zu den Produkten

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MOS Kondensatoren
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Lasergetrimmter 220 pF MOS-Kondensator Wafer-Level abgeglichener einlagiger Chip für TOSA ROSA optische Transceiver

Lasergetrimmter 220 pF MOS-Kondensator Wafer-Level abgeglichener einlagiger Chip für TOSA ROSA optische Transceiver

Markenname: Hoan
Modellnummer: HACC221S20V500
Mindestbestellmenge: 10 Stück
Zahlungsbedingungen: T/T,L/C,D/A,D/P
Detailinformationen
Herkunftsort:
Shaanxi, China
Zertifizierung:
ISO 9001:2015
Designarchitektur:
Doppelseitig umrandet (Rand)
Betriebstemperatur:
-55°C bis +125°C
Lagertemperatur:
20–25 °C, 40–60 % relative Luftfeuchtigkeit, Stickstoffschrank
Feuchtigkeits-Empfindlichkeit:
MSL 1 (Unbegrenzte Bodenlebensdauer gemäß J-STD-020)
Testabdeckung auf Wafer-Ebene:
100 % Kapazität, Leckage und Durchschlag auf dem Wafer geprüft
Anwendungen:
TOSA/ROSA, optische Transceiver, HF-Anpassung und DC-Blockierung
Hervorheben:

220 pF MOS-Kondensator

,

Wafer-Level abgeglichener MOS-Kondensator

,

Einlagiger Chip für TOSA ROSA

Produkt-Beschreibung

HACC221S20V500 - Lasergetrimmter 220 pF MOS-Kondensator, 20V, Wafer-Level-abgestimmt Einzel-Schicht-Chip


Kurz gesagt: Der HACC221S20V500 ist ein drahtbondfähiger MOS-Kondensator (Metall-Oxid-Halbleiter) mit einer Kapazität von 220 pF ±10% bei 20V DC. Jeder Die ist lasergetrimmt und auf Wafer-Ebene auf besser als ±0,1% abgestimmt, was ihn zu einer praktischen Wahl für TOSA- und ROSA-Optiktransceiver-DC-Blöcke, Bias-Tees und Impedanzanpassungsnetzwerke macht.


Hauptleistungsmerkmale

1. Lasergetrimmt & Wafer-Level-Präzisionsabgleich

  • Jeder Kondensator wird individuell auf einen Zielwert lasergetrimmt, um einen Paarabgleich innerhalb von ±0,1% für differentielle Treiber- und TIA-Frontends zu erreichen
  • Wafer-Level-Messung und Binning halten die Kapazität über die gesamte Charge hinweg konstant und reduzieren die Fehlanpassung, die optische Augenmuster verschlechtert
  • Engere absolute Toleranz verfügbar bis zu ±2% (Standard ±10%) für abgeglichene Paare und Filter
  • Wiederholbares RF-Verhalten von Einheit zu Einheit reduziert Kalibrierung und Nacharbeit bei der Massenfertigung von Transceivern

2. Optimiert für optische Transceiver / TOSA & ROSA

  • Extrem niedrige intrinsische ESL (2 GHz unterstützt saubere DC-Blockierung und Anpassung bei PAM4-Raten von 25 Gb/s bis 800 Gb/s
  • Hoher Gütefaktor (>200 @ 1 GHz) minimiert Einfügungsverluste in Bias-Tee- und Anpassungsnetzwerken
  • Kompakter 0,50 × 0,50 × 0,15 mm Footprint passt in dichte TOSA/ROSA-Layouts
  • Drahtbondfähiger Top-Kontakt (TaN/TiW/Ni/Au, ≥2,5 µm Au) für Goldband und 25 µm Au thermosonische Bondung
  • Doppelseitige, gerahmte Architektur bietet Epoxid-Eindämmung und eine optische Ausrichtungsreferenz während des Die-Attach


Anpassungsoptionen

Parameter Standard Benutzerdefinierter Bereich
Kapazität 220 pF ±10% 10 pF - 1000 pF; ±2% verfügbar
Nennspannung 20V DC 6,3V - 100V DC
Dielektrikumtyp COG/NPO (Klasse I) X7R (Klasse II) oder kundenspezifisch
Chipgröße 0,50 × 0,50 × 0,15 mm 0,25 × 0,25 mm bis 5,0 × 5,0 mm
Top-Metallisierung TaN/TiW/Ni/Au, ≥2,5 µm Au Bis zu 5,0 µm Au
Designarchitektur Doppelseitig gerahmt Einseitig oder randlos


Anwendungen

  • 100G/400G/800G QSFP-DD und OSFP optische Transceiver DC-Blöcke und Bypass
  • TOSA/ROSA-Treiber und TIA-Zwischenstufenkopplung
  • Kohärente Optik und Siliziumphotonik RF-Anpassung
  • 5G NR FR1/FR2 Leistungsverstärker Impedanzanpassung
  • RF-Test- und Messfrontends


Lasergetrimmter 220 pF MOS-Kondensator Wafer-Level abgeglichener einlagiger Chip für TOSA ROSA optische Transceiver