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레이저 트리밍된 220 pF MOS 커패시터 웨이퍼 레벨 매칭 단일 레이어 칩 (TOSA ROSA 광 트랜시버용)

Name: 레이저 트리밍된 220 pF MOS 커패시터 웨이퍼 레벨 매칭 단일 레이어 칩 (TOSA ROSA 광 트랜시버용)
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC221S20V500
Price: 협상 가능 USD
Availability: InStock

브랜드 이름:	Hoan
모델 번호:	HACC221S20V500
MOQ:	10개
지불 조건:	T/T,L/C,D/A,D/P

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

중국 산시성

인증:

ISO 9001:2015

디자인 아키텍처:

양면 테두리 있음(여백)

작동 온도:

-55°C ~ +125°C

보관 온도:

20-25°C, 40-60% RH, 질소 캐비닛

습기 민감성:

MSL 1(J-STD-020에 따라 바닥 수명 무제한)

웨이퍼 레벨 테스트 범위:

웨이퍼에서 100% 정전용량, 누출 및 고장 조사

응용:

TOSA/ROSA, 광트랜시버, RF 매칭 및 DC 차단

강조하다:

220pF MOS 커패시터

웨이퍼 레벨 매칭 MOS 커패시터

TOSA ROSA용 단일 레이어 칩

제품 설명

HACC221S20V500 - 레이저 트리밍 220 pF MOS 커패시터, 20V, 웨이퍼 레벨 매칭 단일 레이어 칩

요약: HACC221S20V500은 220 pF ±10%, 20V DC 정격의 와이어 본딩 가능한 단일 레이어 MOS(금속-산화물-반도체) 커패시터입니다. 각 다이는 레이저 트리밍 및 웨이퍼 레벨 매칭을 통해 ±0.1% 미만으로 정밀하게 맞춰져 TOSA 및 ROSA 광 트랜시버 DC 블록, 바이어스 티 및 임피던스 매칭 네트워크에 실용적인 선택이 됩니다.

주요 성능 장점

1. 레이저 트리밍 및 웨이퍼 레벨 정밀 매칭

모든 커패시터는 개별적으로 레이저 트리밍되어 목표 값에 맞춰지며, 차동 드라이버 및 TIA 프론트 엔드의 쌍 매칭을 ±0.1% 이내로 달성합니다.
웨이퍼 레벨 측정 및 빈닝은 전체 로트에서 커패시턴스를 일관되게 유지하여 광 아이 다이어그램을 저하시키는 불일치를 줄입니다.
매칭된 쌍 및 필터에 대해 ±2%(표준 ±10%)까지의 엄격한 절대 허용 오차 사용 가능
반복 가능한 유닛 간 RF 동작은 대량 트랜시버 조립 시 보정 및 재작업을 줄입니다.

2. 광 트랜시버 / TOSA 및 ROSA에 최적화

높은 Q 팩터(>200 @ 1 GHz)는 바이어스 티 및 매칭 네트워크의 삽입 손실을 최소화합니다.컴팩트한 0.50 × 0.50 × 0.15 mm 풋프린트는 밀집된 TOSA/ROSA 레이아웃에 적합합니다.
와이어 본딩 가능한 상단 접점(TaN/TiW/Ni/Au, ≥2.5 μm Au)은 금 리본 및 25 μm Au 열초음파 본딩에 사용됩니다.
양면 테두리 아키텍처는 에폭시 봉쇄 및 다이 부착 중 광 정렬 참조를 제공합니다.
맞춤 설정 옵션
매개변수

표준

맞춤 범위	커패시턴스	220 pF ±10%
10 pF - 1000 pF; ±2% 사용 가능	정격 전압	20V DC
6.3V - 100V DC	유전체 유형	COG/NPO (Class I)
X7R (Class II) 또는 맞춤	칩 크기	0.50 × 0.50 × 0.15 mm
0.25 × 0.25 mm ~ 5.0 × 5.0 mm	상단 금속화	TaN/TiW/Ni/Au, ≥2.5 μm Au
최대 5.0 μm Au	설계 아키텍처	양면 테두리
단면 또는 테두리 없음	응용 분야	100G/400G/800G QSFP-DD 및 OSFP 광 트랜시버 DC 블록 및 바이패스

TOSA/ROSA 드라이버 및 TIA 인터스테이지 커플링

코히런트 광학 및 실리콘 포토닉스 RF 매칭
5G NR FR1/FR2 전력 증폭기 임피던스 매칭
RF 테스트 및 측정 프론트 엔드

레이저 트리밍된 220 pF MOS 커패시터 웨이퍼 레벨 매칭 단일 레이어 칩 (TOSA ROSA 광 트랜시버용)

태그:

원추형 인덕터

광대역 인덕터

에어 코어 인덕터

공기 코일 인덕터

MOS 콘덴시터