लेजर ट्रिम किया हुआ 220 pF MOS कैपेसिटर वेफर-लेवल मैच्ड सिंगल लेयर चिप TOSA ROSA ऑप्टिकल ट्रांसीवर के लिए

HACC221S20V500 - लेजर ट्रिम किया गया 220 pF MOS कैपेसिटर, 20V, वेफर-लेवल मैच्ड सिंगल लेयर चिप

संक्षेप में: HACC221S20V500 एक वायर-बॉन्डेबल सिंगल लेयर MOS (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर) कैपेसिटर है जो 20V DC पर 220 pF ±10% रेटेड है। प्रत्येक डाई को लेजर ट्रिम किया गया है और वेफर-लेवल पर ±0.1% से बेहतर मिलान किया गया है, जिससे यह TOSA और ROSA ऑप्टिकल ट्रांसीवर DC ब्लॉक, बायस टीज़ और इम्पीडेंस मैचिंग नेटवर्क के लिए एक व्यावहारिक विकल्प बन गया है।

मुख्य प्रदर्शन लाभ

1. लेजर ट्रिम किया गया और वेफर-लेवल प्रेसिजन मैचिंग

• प्रत्येक कैपेसिटर को व्यक्तिगत रूप से एक लक्ष्य मान पर लेजर ट्रिम किया जाता है, जिससे डिफरेंशियल ड्राइवर और TIA फ्रंट-एंड के लिए ±0.1% के भीतर पेयर मैचिंग प्राप्त होती है
• वेफर-लेवल माप और बिनिंग पूरे लॉट में कैपेसिटेंस को सुसंगत रखते हैं, जिससे ऑप्टिकल आई डायग्राम को खराब करने वाले मिसमैच को कम किया जा सकता है
• मैच्ड पेयर और फिल्टर के लिए ±2% (मानक ±10%) तक टाइट एब्सोल्यूट टॉलरेंस उपलब्ध है
• रिपीटेबल यूनिट-टू-यूनिट RF व्यवहार वॉल्यूम ट्रांसीवर असेंबली में कैलिब्रेशन और रीवर्क को कम करता है

2. ऑप्टिकल ट्रांसीवर / TOSA और ROSA के लिए अनुकूलित

• अल्ट्रा-लो इंट्रिंसिक ESL (2 GHz 25 Gb/s से 800 Gb/s PAM4 दरों पर क्लीन DC ब्लॉकिंग और मैचिंग का समर्थन करता है
• हाई Q फैक्टर (>200 @ 1 GHz) बायस-टी और मैचिंग नेटवर्क में इंसर्शन लॉस को कम करता है
• कॉम्पैक्ट 0.50 × 0.50 × 0.15 मिमी फुटप्रिंट सघन TOSA/ROSA लेआउट में फिट बैठता है
• गोल्ड रिबन और 25 माइक्रोन Au थर्मोसोनिक बॉन्डिंग के लिए वायर-बॉन्डेबल टॉप कॉन्टैक्ट (TaN/TiW/Ni/Au, ≥2.5 माइक्रोन Au)
• डबल-साइडेड बॉर्डर्ड आर्किटेक्चर डाई अटैच के दौरान एपॉक्सी कंटेनमेंट और ऑप्टिकल अलाइनमेंट रेफरेंस प्रदान करता है

अनुकूलन विकल्प

अनुप्रयोग

• 100G/400G/800G QSFP-DD और OSFP ऑप्टिकल ट्रांसीवर DC ब्लॉक और बायपास
• TOSA/ROSA ड्राइवर और TIA इंटर-स्टेज कपलिंग
• कोहेरेंट ऑप्टिक्स और सिलिकॉन फोटोनिक्स RF मैचिंग
• 5G NR FR1/FR2 पावर एम्पलीफायर इम्पीडेंस मैचिंग
• RF टेस्ट और मेजरमेंट फ्रंट-एंड