Detalles de los productos

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Condensadores MOS
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Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor 100 pF 30V Chip for Beamforming Phased Array Modules

Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor 100 pF 30V Chip for Beamforming Phased Array Modules

Nombre De La Marca: Hoan
Número De Modelo: HPM101S30V100
Cantidad Mínima De Pedido: 10 piezas
Condiciones De Pago: LC, D/A, D/P, T/T
Información detallada
Lugar de origen:
Shaanxi, China
Certificación:
ISO 9001:2015, RoHS
Temperatura de funcionamiento:
-55°C a +125°C
Nivel de sensibilidad a la humedad:
MSL 1 (J-STD-020)
RoHS:
Cumple (UE 2015/863)
Tolerancia de coincidencia de fases:
Subgrado, elemento a elemento
Ancho de banda utilizable:
CC a 18 GHz (típico)
Personalización:
Capacitancia personalizada de 10 pF-1000 pF, capa de adaptación de gradiente y geometría de troquel
Resaltar:

30V MOS capacitor for beamforming

,

100 pF MOS capacitor chip

,

phase matching MOS capacitor

Descripción de producto
HPM101S30V100 Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor — 100 pF 30V for Beamforming In short: The HPM101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is specified for sub-degree phase matching across an array, so that individual elements keep a consistent phase response in beamforming front-ends. A gradient impedance matching layer blends the transition between the electrode