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dettagli dei prodotti

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Condensatori MOS
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Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor 100 pF 30V Chip for Beamforming Phased Array Modules

Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor 100 pF 30V Chip for Beamforming Phased Array Modules

Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor 100 pF 30V Chip for Beamforming Phased Array Modules

Marchio: Hoan
Numero di modello: HPM101S30V100
MOQ: 10 pezzi
Termini di pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T
Informazioni dettagliate
Descrizione di prodotto
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Shaanxi, Cina
Certificazione:
ISO 9001:2015, RoHS
Temperatura operativa:
Da -55°C a +125°C
Livello di sensibilità all'umidità:
MSL1 (J-STD-020)
RoHS:
Conforme (UE 2015/863)
Tolleranza di adattamento di fase:
Sottogrado, da elemento a elemento
Larghezza di banda utilizzabile:
Da CC a 18 GHz (tipico)
Personalizzazione:
Capacità personalizzata 10 pF-1000 pF, strato di corrispondenza del gradiente e geometria del die
Evidenziare:

30V MOS capacitor for beamforming

,

100 pF MOS capacitor chip

,

phase matching MOS capacitor

Descrizione di prodotto
HPM101S30V100 Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor — 100 pF 30V for Beamforming In short: The HPM101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is specified for sub-degree phase matching across an array, so that individual elements keep a consistent phase response in beamforming front-ends. A gradient impedance matching layer blends the transition between the electrode
Etichette: 

Capacitore SLC  

Capacitore legato a filo  

Capacitore ceramico a uno strato

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