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Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor 100 pF 30V Chip for Beamforming Phased Array Modules

Name: Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor 100 pF 30V Chip for Beamforming Phased Array Modules
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HPM101S30V100
Price: Négociable USD
Availability: InStock

Nom De La Marque:	Hoan
Numéro De Modèle:	HPM101S30V100
Quantité Minimale De Commande:	10 pièces
Conditions De Paiement:	LC, D/A, D/P, T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Shaanxi, Chine

Certification:

ISO 9001:2015, RoHS

Température de fonctionnement:

-55°C à +125°C

Niveau de sensibilité à l'humidité:

MSL1 (J-STD-020)

RoHS:

Conforme (UE 2015/863)

Tolérance de correspondance de phase:

Sous-degré, élément à élément

Bande passante utilisable:

CC à 18 GHz (typique)

Personnalisation:

Capacité personnalisée 10 pF-1 000 pF, couche de correspondance de gradient et géométrie de la matri

Mettre en évidence:

30V MOS capacitor for beamforming

100 pF MOS capacitor chip

phase matching MOS capacitor

Description de produit

HPM101S30V100 Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor — 100 pF 30V for Beamforming In short: The HPM101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is specified for sub-degree phase matching across an array, so that individual elements keep a consistent phase response in beamforming front-ends. A gradient impedance matching layer blends the transition between the electrode

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