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Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor 100 pF 30V Chip for Beamforming Phased Array Modules

Name: Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor 100 pF 30V Chip for Beamforming Phased Array Modules
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HPM101S30V100
Price: 交渉可能 USD
Availability: InStock

ブランド名:	Hoan
モデル番号:	HPM101S30V100
MOQ:	10個
支払い条件:	L/C、D/A、D/P、T/T

詳細情報

製品の説明

詳細情報

起源の場所:

陝西省、中国

証明:

ISO 9001:2015, RoHS

動作温度:

-55℃～+125℃

湿度感度レベル:

MSL 1 (J-STD-020)

RoHS:

準拠 (EU 2015/863)

位相整合許容差:

サブ次数、要素間

使用可能な帯域幅:

DC ～ 18 GHz (標準)

カスタマイズ:

カスタム静電容量 10 pF ～ 1000 pF、勾配整合層およびダイ形状

ハイライト:

30V MOS capacitor for beamforming

100 pF MOS capacitor chip

phase matching MOS capacitor

製品の説明

HPM101S30V100 Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor — 100 pF 30V for Beamforming In short: The HPM101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is specified for sub-degree phase matching across an array, so that individual elements keep a consistent phase response in beamforming front-ends. A gradient impedance matching layer blends the transition between the electrode

札:

コニカルインダクタ

広帯域インダクタ

空気中心誘導器

エアコイルインダクタ

MOSキャパシタ