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Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor 100 pF 30V Chip for Beamforming Phased Array Modules

Name: Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor 100 pF 30V Chip for Beamforming Phased Array Modules
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HPM101S30V100
Price: Verhandelbar USD
Availability: InStock

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HPM101S30V100
Mindestbestellmenge:	10 Stück
Zahlungsbedingungen:	L/C, D/A, D/P, T/T

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015, RoHS

Betriebstemperatur:

-55°C bis +125°C

Feuchtigkeitsempfindlichkeit:

MSL 1 (J-STD-020)

RoHS:

Konform (EU 2015/863)

Phasenanpassungstoleranz:

Untergrad, Element-zu-Element

Nutzbare Bandbreite:

DC bis 18 GHz (typisch)

Anpassung:

Benutzerdefinierte Kapazität 10 pF-1000 pF, Gradientenanpassungsschicht und Chip-Geometrie

Hervorheben:

30V MOS capacitor for beamforming

100 pF MOS capacitor chip

phase matching MOS capacitor

Produkt-Beschreibung

HPM101S30V100 Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor — 100 pF 30V for Beamforming In short: The HPM101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is specified for sub-degree phase matching across an array, so that individual elements keep a consistent phase response in beamforming front-ends. A gradient impedance matching layer blends the transition between the electrode

Umbauten:

Konischer Induktor

Breitband-Induktoren

Luft-Kern-Induktor

Luftspulen-Induktor

MOS Kondensatoren