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Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor 100 pF 30V Chip for Beamforming Phased Array Modules

Name: Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor 100 pF 30V Chip for Beamforming Phased Array Modules
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HPM101S30V100
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Hoan
Número do modelo:	HPM101S30V100
Quantidade mínima:	10 peças
Condições de pagamento:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Shanxi, China

Certificação:

ISO 9001:2015, RoHS

Temperatura operacional:

-55°C a +125°C

Nível de sensibilidade à umidade:

MSL1 (J-STD-020)

RoHS:

Em conformidade (UE 2015/863)

Tolerância de correspondência de fase:

Sub-grau, elemento a elemento

Largura de banda utilizável:

DC a 18 GHz (típico)

Personalização:

Capacitância personalizada 10 pF-1000 pF, camada de correspondência de gradiente e geometria da matr

Destacar:

30V MOS capacitor for beamforming

100 pF MOS capacitor chip

phase matching MOS capacitor

Descrição do produto

HPM101S30V100 Sub-Degree Phase Matching MOS Capacitor — 100 pF 30V for Beamforming In short: The HPM101S30V100 is a 100 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is specified for sub-degree phase matching across an array, so that individual elements keep a consistent phase response in beamforming front-ends. A gradient impedance matching layer blends the transition between the electrode

Etiquetas:

Capacitores MOS de Prototipagem Rápida, Personalização Flexível, Capacitor de 10 pF, Cadeia de Suprimentos Ecológica, Chip em Conformidade

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