Capacitador MOS de anillo de protección escalonado a nanoescala 1000pF 50V Chip de capa única para fugas de Pico-Amp

HACC102S50V300 condensador MOS de anillo de protección a escala nanométrica

Resumen del producto:El HACC102S50V300 es un condensador MOS (metal-oxide-semiconductor) de una sola capa con una capacitancia nominal de 1000pF (1nF) ± 10% y un voltaje de trabajo de 50V DC.Utiliza un dióxido de silicio térmico de 300nm (SiO)₂La función de la membrana de protección de la membrana de protección de la membrana de protección de la membrana de protección de la membrana de protección de la membrana de protección de la membrana de protección de la membrana de protección de la membrana de protección de la membrana.que alarga la trayectoria de fuga de la superficie y limita el campo eléctrico para que la corriente de fuga se mantenga en el rango de picoamperizaciónSe adapta a circuitos RF y analógicos de alta impedancia y precisión donde las fugas limitan directamente la precisión.

¿Qué es un anillo de protección a escala nanométrica?

Un anillo de protección es una estructura conductiva o aislante colocada alrededor del electrodo activo para interceptar la corriente de fuga superficial y mantenerla alejada de la trayectoria de la señal.Un anillo de protección escalonado utiliza varios anillos a nanoescala muy espaciados en lugar de uno solo grandeEsto aumenta la longitud efectiva del camino de la superficie y se extiende el campo eléctrico a través de múltiples pasos,Así que el campo en cualquier punto individual es menor y la fuga de superficie que de otro modo fluiría entre los terminales se reduce fuertementeEl resultado es una fuga en el rango pico-amp, que es importante en circuitos de alta impedancia donde incluso una fuga de nanoamp cargaría o compensaría la señal.

Notas de diseño del anillo de protección

• Distribución del campo:Cada paso en el anillo escalonado reduce el pico de campo eléctrico, y el campo se distribuye sobre una mayor superficie.
• Ruta de superficie más larga:Anillos múltiples muy cerca aumentan la distancia que la corriente de fuga debe viajar a lo largo de la superficie.
• Substrato de alta resistencia:El silicio de zona flotante superior a 1000 Ω·cm limita las fugas masivas entre el electrodo superior y el sustrato.
• Óxido térmico denso:El dieléctrico tiene una baja densidad de defectos, por lo que la fuga a granel a través del óxido se mantiene baja a través de la temperatura.

Especificaciones clave (T = 25°C, a menos que se indique)

Aplicaciones típicas

• Frentes analógicos de precisión de alta impedancia
• Etapas de muestreo y retención y de integración de carga
• Las partidas de los componentes de los aparatos de medición de alta velocidad
• Bloqueo y acoplamiento de corriente continua de baja fuga en interfaces de sensores
• Circuitos de RF y microondas que requieren una fuga muy baja