Detalles de los productos

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Condensadores MOS
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Capacitador MOS dieléctrico de autocuración 330 pF 50V Chip de capa única para sistemas RF de alta confiabilidad

Capacitador MOS dieléctrico de autocuración 330 pF 50V Chip de capa única para sistemas RF de alta confiabilidad

Nombre De La Marca: Hoan
Número De Modelo: HACC331S50V150
Cantidad Mínima De Pedido: 10 piezas
Condiciones De Pago: T/T, L/C, D/A, D/P
Información detallada
Lugar de origen:
Shaanxi, China
Certificación:
ISO 9001:2015, RoHS
Capacidad:
330 pF ±10% (±5% disponible)
Voltaje de CC nominal:
50 voltios
Dimensiones de los chips:
0,50x0,50x0,15mm
Temperatura de funcionamiento:
-55°C a +125°C
Tipo de montaje:
Fijación de matriz eutéctica / adherible con alambre
Nivel de sensibilidad a la humedad:
MSL 1
RoHS:
Cumple (UE 2015/863)
Resaltar:

Condensador MOS de auto-reparación 330pF 50V

,

Capacitador MOS de chip de una sola capa

,

Capacitador MOS RF de alta fiabilidad

Descripción de producto

Capacitador MOS de capa única dieléctrica de autocuración 330 pF / 50 V (HACC331S50V150)


¿Qué es un condensador MOS dieléctrico autoreparador?


El HACC331S50V150 es un condensador MOS de una sola capa (óxido metálico-semiconductor) que utiliza un dieléctrico de dióxido de silicio (SiO2) cultivado térmicamente en un sustrato de silicio de zona flotante.Su diseño dieléctrico de auto-reparación aísla un sitio localizado de la avería para que una sobre tensión transitoria no se convierta en un cortocircuito permanenteEs un condensador de RF con conexión por cable330 pF ± 10% a 50 V de corriente continuaen un0.50 × 0,50 × 0,15 mmchip, y también se conoce como un condensador cerámico de una sola capa (SLC) o condensador de alambre.


Especificaciones clave (típico, 25 °C)


Capacidad nominal 330 pF ±10% (±5% disponible)
Voltagem nominal de corriente continua 50 V
Tensión de resistencia dieléctrica > 125 V de corriente continua (250% nominal)
Característica de auto-reparación Aislamiento localizado del sitio de la descomposición
Dieléctrico SiO2 térmico, 300 nm
Substrato Silicio de zona flotante, > 1000 Ω·cm
ESL intrínseco < 0,05 nH
Frecuencia de auto-resonancia > 4 GHz (con alambre de unión de 0,5 mm)
Factor Q @ 1 MHz > 2000
El TCC +35 ppm/°C
Temperatura de funcionamiento -55 °C a +125 °C
Dimensiones del chip 0.50 × 0,50 × 0,15 mm
Metalización TiW-Au superior (2,5 μm min) y TiW-Pt-Au posterior (1,0 μm min)
Nivel de sensibilidad a la humedad Las condiciones de los productos
RoHS Conformidad (UE 2015/863)


El condensador MOS frente al MLCC frente al SLC estándar


Parámetro Este condensador MOS El número de unidades de producción
Construcción Capa única, trayectoria de corriente vertical Estaca de múltiples capas
ESL intrínseco < 0,05 nH pH entre 300 y 500
Capacidad frente al sesgo de CC Estable hasta la tensión nominal Puede bajar a tensión nominal (clase II)
Comportamiento de la avería Diseño dieléctrico de autocurado Fallo permanente
El montaje Enlace de alambre / adhesivo eutectico Soluciones de soldadura SMD


Aplicaciones típicas


  • Combinación de amplificadores de potencia RF de alta fiabilidad y bloqueo de CC
  • Microcircuitos híbridos expuestos a transientes de voltaje repetitivos
  • Generadores de RF industriales y fuentes de alimentación
  • Equipo médico de radiofrecuencia
  • Frente de radio de telecomunicaciones e infraestructuras


Capacitador MOS dieléctrico de autocuración 330 pF 50V Chip de capa única para sistemas RF de alta confiabilidad