HongAn Microwave Co., Ltd.
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| Marchio: | Hoan |
| Numero di modello: | HACC331S50V150 |
| MOQ: | 10 pezzi |
| Termini di pagamento: | T/T,L/C,D/A,D/P |
L'HACC331S50V150 è un condensatore MOS (metal-oxide-semiconductor) a strato singolo che utilizza un dielettrico di biossido di silicio (SiO2) cresciuto termicamente su un substrato di silicio float-zone. Il suo design a dielettrico auto-riparante isola un sito di guasto localizzato in modo che una sovratensione transitoria non si trasformi in un cortocircuito permanente. È un condensatore RF saldabile con filo con una capacità nominale di330 pF ±10% a 50 V DCin un0,50 × 0,50 × 0,15 mmed è anche noto come condensatore ceramico a strato singolo (SLC) o condensatore saldabile con filo.
| Capacità nominale | 330 pF ±10% (±5% disponibile) |
| Tensione DC nominale | 50 V |
| Tensione di tenuta del dielettrico | >125 V DC (250% nominale) |
| Funzione di auto-riparazione | Isolamento del sito di guasto localizzato |
| Dielettrico | SiO2 termico, 300 nm |
| Substrato | Silicio float-zone, >1000 Ω·cm |
| ESL intrinseca | <0,05 nH |
| Frequenza di auto-risonanza | >4 GHz (con filo di saldatura da 0,5 mm) |
| Fattore Q @ 1 MHz | >2000 |
| TCC | +35 ppm/°C |
| Temperatura operativa | -55 °C a +125 °C |
| Dimensioni del chip | 0,50 × 0,50 × 0,15 mm |
| Metallizzazione | Superiore TiW-Au (minimo 2,5 µm), posteriore TiW-Pt-Au (minimo 1,0 µm) |
| Livello di sensibilità all'umidità | MSL 1 |
| RoHS | Conforme (EU 2015/863) |
| Parametro | Questo condensatore MOS | MLCC (0402) |
| Costruzione | Strato singolo, percorso di corrente verticale | Stack multistrato |
| ESL intrinseca | <0,05 nH | 300-500 pH |
| Capacità vs. polarizzazione DC | Stabile fino alla tensione nominale | Può diminuire alla tensione nominale (Classe II) |
| Comportamento al guasto | Design a dielettrico auto-riparante | Guasto permanente |
| Montaggio | Saldatura a filo / attacco die eutettico | Saldatura SMD |
