HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Merknaam: | Hoan |
| Modelnummer: | HACC331S50V150 |
| MOQ: | 10 stuks |
| Betalingsvoorwaarden: | T/T,L/C,D/A,D/P |
De HACC331S50V150 is een enkellagige MOS-capacitor (metal-oxide-halfgeleider) die een thermisch gekweekte siliciumdioxide (SiO2) dielectricum gebruikt op een drijvend siliciumsubstraat.Het zelfherstellende dielectrische ontwerp isoleert een plaatselijke breukplaats zodat een voorbijgaande overspanning niet tot een permanente kortsluiting ontstaatHet is een draadbindende RF-capacitor330 pF ±10% bij 50 V gelijkstroomin een0.50 × 0,50 × 0,15 mmchip, en het is ook bekend als een single-layer keramische condensator (SLC) of draad bindbare condensator.
| Nominale capaciteit | 330 pF ±10% (±5% beschikbaar) |
| Nominale gelijkstroomspanning | 50 V |
| Dielectrische bestandspanning | > 125 V gelijkstroom (250% nominale stroom) |
| Zelfherstellende functie | Isolatie van de lokale afbraakplaats |
| Dielectrische | Thermische SiO2, 300 nm |
| Substraat | Silicium met drijvende zone, > 1000 Ω·cm |
| Intrinsieke ESL | < 0,05 nH |
| Zelfresonantiefrequentie | > 4 GHz (met 0,5 mm banddraad) |
| Q-factor @ 1 MHz | > 2000 |
| TCC | +35 ppm/°C |
| Werktemperatuur | -55 °C tot +125 °C |
| Afmetingen van de chip | 0.50 × 0,50 × 0,15 mm |
| Metallisatie | Boven TiW-Au (2,5 μm min), achterste TiW-Pt-Au (1,0 μm min) |
| Vochtgevoeligheid | MSL 1 |
| RoHS | Voldoende (EU 2015/863) |
| Parameter | Deze MOS condensator | MLCC (0402) |
| Bouw | Eenlaag, verticaal stroompad | Meerlaagstapel |
| Intrinsieke ESL | < 0,05 nH | 300-500 pH |
| Capaciteit versus DC-bias | Stabiel tot nominale spanning | Kan bij nominale spanning dalen (klasse II) |
| Afbraakgedrag | Zelfherstellende dielektrische constructie | Permanente storing |
| Montage | Draadbinding / eutectic die attach | SMD-soldeer |
